Si tratta del più grande investimento finora realizzato dall'azienda per espandere la propria capacità produttiva di carburo di silicio e GaN nel settore del carburo di silicio. Una volta completato nel 2024, l'impianto aumenterà sostanzialmente la capacità produttiva di carburo di silicio e di wafer dell'azienda, consentendo lo sviluppo di soluzioni a semiconduttore ad alta larghezza di banda a supporto dei profondi cambiamenti tecnologici in atto nei mercati automobilistico, delle telecomunicazioni e industriale.
“Continuiamo a riscontrare un forte interesse da parte dei settori automobilistico e delle infrastrutture di comunicazione nell'utilizzo del carburo di silicio per promuovere l'innovazione. Tuttavia, la domanda di carburo di silicio ha da tempo superato l'offerta disponibile. Oggi annunciamo il nostro più grande investimento di sempre nella produzione, volto ad aumentare drasticamente l'offerta e ad aiutare i clienti a immettere sul mercato prodotti e servizi innovativi”, ha dichiarato Gregg Lowe, CEO di Cree. “Questo investimento in attrezzature, infrastrutture e personale ci consentirà di incrementare la nostra capacità produttiva di wafer di carburo di silicio fino a 30 volte e la nostra produzione di materiale fino a 30 volte rispetto al primo trimestre del 2017, quando abbiamo avviato la prima fase di espansione della capacità produttiva. Riteniamo che ciò ci permetterà di soddisfare la crescita prevista della domanda di dispositivi e materiali in carburo di silicio Wolfspeed nei prossimi cinque anni e oltre.”.
