Una delle innovazioni di ROHM in campo energetico è rappresentata dalla quarta generazione di MOSFET SiC: questa tecnologia consente di ottenere perdite di commutazione inferiori fino al 50% e una riduzione della resistenza di conduzione del 40%, senza compromettere la resistenza ai cortocircuiti. Inoltre, l'ultima generazione offre un intervallo di tensione di gate più flessibile (15-18 V) e supporta lo spegnimento a zero volt, consentendo l'utilizzo di semplici circuiti di pilotaggio del gate con alimentazione a polo singolo.
“La domanda di SiC continuerà a crescere e ROHM prevede di incrementare ulteriormente le proprie vendite. Accelereremo ulteriormente gli investimenti e lo sviluppo di prodotti basati sulla tecnologia che abbiamo consolidato come produttori leader di SiC. Inoltre, la nostra azienda continuerà a offrire soluzioni che combinano non solo prodotti in SiC, ma anche componenti periferici e assistenza clienti”, afferma il Dr. Kazuhide Ino, CEO di ROHM Co., Ltd.
ROHM ha recentemente incrementato la propria capacità produttiva di semiconduttori di potenza in SiC con il completamento di un nuovo edificio presso lo stabilimento Apollo di Chikugo, in Giappone. "In qualità di produttore di semiconduttori verticalmente integrato, siamo in gran parte indipendenti dai fornitori, il che ci consente di rispondere con maggiore flessibilità ai cambiamenti del mercato. L'elevato grado di integrazione dei nostri impianti di produzione ci offre un vantaggio rispetto ad altri produttori che esternalizzano molte fasi della produzione. Inoltre, ci impegniamo costantemente per ottimizzare le nostre catene di fornitura, compreso il nostro sistema di produzione, al fine di garantire una fornitura stabile ai nostri clienti", ha dichiarato Wolfram Harnack, Presidente di ROHM Semiconductor Europe.
Poiché si prevede che la domanda di wafer di semiconduttori in carburo di silicio continuerà a crescere, ROHM prevede di espandere i propri investimenti e la capacità produttiva. Anche la filiale produttiva di ROHM, SiCrystal, con sede a Norimberga, in Germania, prevede di incrementare significativamente la propria capacità e il personale. "L'obiettivo intermedio di SiCrystal è raggiungere un fatturato a nove cifre producendo diverse centinaia di migliaia di substrati all'anno", afferma il Dr. Robert Eckstein, CEO di SiCrystal.
Isao Matsumoto, Presidente e CEO di ROHM Co., Ltd., si dichiara soddisfatto dei risultati complessivi del Gruppo ROHM e fiducioso per il futuro: “Nell'ultimo esercizio fiscale abbiamo registrato vendite record e prevediamo di mantenere le nostre ottime performance anche in quello in corso. Di conseguenza, abbiamo rivisto al rialzo e anticipato il nostro piano di gestione a medio termine. Tra i mercati globali, consideriamo l'Europa un mercato prioritario su cui concentrare la nostra strategia, data la presenza di numerose aziende leader nell'innovazione tecnologica nei settori automobilistico e delle apparecchiature industriali. ROHM continuerà inoltre a fornire ai clienti soluzioni incentrate su prodotti analogici e di potenza, che rappresentano le specialità di ROHM”, conclude Isao Matsumoto, Presidente e CEO di ROHM Co., Ltd.
