La proliferazione di batterie ad alta tensione nei veicoli elettrici, nei droni e negli utensili elettrici professionali pone una sfida cruciale: la protezione contro guasti catastrofici dovuti a cortocircuiti esterni, dove le correnti possono raggiungere migliaia di ampere. Il MOSFET di scarica è l'unico componente responsabile dell'isolamento della batteria in queste condizioni estreme.
“Nei pacchi batteria ad alta energia, la robustezza è fondamentale. I tradizionali progetti di MOSFET sono costretti a scegliere tra il raggiungimento di una resistenza RDS(on) estremamente bassa per l'efficienza e l'integrità strutturale necessaria per resistere a correnti di cortocircuito elevate”, ha affermato il Dr. Phil Rutter, Vicepresidente del Design di iDEAL Semiconductor. “La piattaforma SuperQ™ elimina questo dilemma. La nostra struttura cellulare proprietaria offre la più bassa resistenza allo stato attivo sul mercato, insieme a un margine di sicurezza senza pari, dando ai progettisti la sicurezza di creare sistemi di batterie più piccoli, più affidabili e più economici.”.
Resistenza al cortocircuito 1,4 volte superiore
I test interni condotti da iDEAL Semiconductor hanno dimostrato il significativo vantaggio prestazionale di SuperQ. Un confronto diretto tra l'iS15M2R5S1T (150 V, 2,5 mΩ, package TOLL) e un concorrente leader ha rivelato quanto segue:
Il dispositivo SuperQ ha dimostrato una capacità di resistenza ai cortocircuiti 1,4 volte superiore a quella del suo concorrente più vicino. Questa prestazione rivoluzionaria è ottenuta grazie a una struttura cellulare brevettata caratterizzata da una regione di conduzione più ampia, che massimizza la densità di potenza e l'integrità strutturale in condizioni di stress estreme.
Per i progettisti di pacchi batteria, questo SCWC superiore si traduce in vantaggi a livello di sistema:
Riduzione dei componenti: poiché ogni dispositivo SuperQ può sopportare correnti di cortocircuito significativamente più elevate, i progettisti possono utilizzare fino al 50% in meno di MOSFET in parallelo, pur rispettando gli stessi requisiti di sicurezza.
Risparmio sui costi: la riduzione del numero e della complessità dei componenti comporta una sostanziale diminuzione del costo totale dei materiali (BOM) e semplifica la progettazione della scheda.
Efficienza: il mantenimento di un valore RDS(on) estremamente basso di 2,5 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione, prolunga la durata della batteria e riduce i requisiti di gestione termica.
La gamma SuperQ è disponibile da subito con dispositivi fino a 200 V, offrendo soluzioni per piattaforme di batterie da 72 V a oltre 144 V.
