I nuovi IGBT raggiungono perdite di conduzione bassissime, leader nella loro categoria*, con un VCE(sat) di 1,55 V, offrendo al contempo un'elevata tolleranza ai cortocircuiti e la conformità allo standard di affidabilità automobilistica AEC-Q101.
Con l'evoluzione dei veicoli elettrici verso tensioni più elevate, il SiC viene sempre più adottato in applicazioni ad alta potenza, come gli inverter di trazione. Allo stesso tempo, gli IGBT da 650 V sono ampiamente utilizzati come dispositivi di commutazione in sistemi ausiliari a bassa potenza, tra cui compressori elettrici per autoveicoli e riscaldatori ad alta tensione. Gli IGBT al silicio sono inoltre ampiamente utilizzati in apparecchiature industriali, in particolare in motori e compressori, e si prevede che la domanda continuerà a crescere.
Queste applicazioni richiedono un maggiore risparmio energetico e una progettazione delle apparecchiature più compatta, generando una forte domanda di dispositivi di potenza che offrano maggiore affidabilità, dimensioni ridotte ed efficienza superiore. In particolare, i circuiti degli inverter e dei riscaldatori richiedono una tolleranza ai cortocircuiti sufficiente a resistere per il tempo necessario a rilevare e interrompere la sovracorrente durante un cortocircuito.
In risposta a queste esigenze di mercato, ROHM ha riprogettato la struttura del dispositivo, compresi il processo di produzione e il design della terminazione dei bordi, per sviluppare IGBT di quarta generazione che combinano caratteristiche di basse perdite con un'elevata tolleranza ai cortocircuiti, soddisfacendo al contempo requisiti di tensione più elevati. Grazie alla revisione della struttura del dispositivo, i prodotti aumentano la densità di corrente riducendo al contempo le perdite di conduzione e di commutazione. Inoltre, nonostante il compromesso tra minori perdite e tolleranza ai cortocircuiti, i prodotti garantiscono un tempo di tenuta al cortocircuito prolungato di 7 µs a Tj = 25 °C. Ciò contribuisce a una maggiore efficienza e a una maggiore affidabilità nelle applicazioni.
La gamma comprende 12 prodotti nel package TO-247N, le RGAxxTS65HR / RGAxxTS65EHR, e 10 prodotti su wafer non incapsulati, la serie SG83xxWN. ROHM sta inoltre sviluppando 12 prodotti nel package TO-247-4L, le serie RGAxxTR65HR e RGAxxTR65EHR. Modelli e materiali necessari per la progettazione dei circuiti possono essere scaricati anche dal sito web ufficiale di ROHM.
Sono ora disponibili prodotti in contenitori TO-247N e una selezione di wafer non incapsulati. I prodotti in contenitore TO-247N possono essere acquistati online tramite distributori come DigiKey e Farnell.
Guardando al futuro, ROHM prevede di ampliare ulteriormente la propria gamma di prodotti utilizzando gli stessi package e di sviluppare prodotti IGBT compatti a montaggio superficiale utilizzando il package TO-263L e i package a raffreddamento superiore (TSC). ROHM continuerà ad ampliare la propria gamma di prodotti IGBT ad alte prestazioni, contribuendo a migliorare l'efficienza dei sistemi di azionamento e la miniaturizzazione nelle applicazioni per apparecchiature industriali e automobilistiche.
Gamma di prodotti
Prodotti discreti
Prodotti in wafer non incapsulati
Esempi di applicazione
• Compressori elettrici per applicazioni automobilistiche
• Riscaldatori ad alta tensione per applicazioni automobilistiche (riscaldatori CTP, riscaldatori del liquido di raffreddamento)
• Inverter per apparecchiature industriali
Informazioni di supporto:
Il sito web ufficiale di ROHM offre modelli SPICE che riproducono accuratamente le caratteristiche elettriche dei prodotti nelle simulazioni, modelli PLECS per la simulazione di circuiti elettrici e altro materiale necessario per la progettazione di circuiti. Per ulteriori informazioni, visitare lapagina del prodotto IGBT Field Stop Trench.
EcoIGBT™
è il marchio di IGBT di ROHM, che comprende sia dispositivi che moduli progettati per soddisfare le esigenze delle applicazioni di potenza ad alta tensione. ROHM sviluppa autonomamente tecnologie essenziali per l'evoluzione dei dispositivi di potenza, dalla fabbricazione dei wafer e dai processi di produzione fino al packaging e ai metodi di controllo qualità. Parallelamente, abbiamo implementato un sistema di produzione integrato lungo tutto il processo produttivo, consolidando la nostra posizione di fornitore leader di dispositivi di potenza.
