Sebbene esistano numerosi tipi di diodi, i diodi Schottky (SBD) ad alta efficienza sono sempre più utilizzati in un'ampia varietà di applicazioni. In particolare, gli SBD con struttura Trench-MOS, che offrono una tensione diretta (VF) inferiore rispetto ai tipi planari, consentono una maggiore efficienza nelle applicazioni di rettifica. Tuttavia, uno degli svantaggi delle strutture Trench-MOS è che in genere presentano un tempo di inversione (trr) peggiore rispetto alle topologie planari, con conseguente maggiore perdita di potenza quando utilizzati per la commutazione.
In risposta, ROHM ha sviluppato una nuova serie che utilizza una struttura Trench-MOS brevettata che riduce simultaneamente sia VF che IR (che sono in una relazione di compensazione) raggiungendo al contempo un trr leader nella sua categoria.
La serie YQ è la prima di ROHM ad adottare una struttura Trench-MOS, ampliando le quattro gamme di SBD convenzionali esistenti, ottimizzate per soddisfare un'ampia varietà di requisiti. Il design brevettato raggiunge un trr leader di categoria di 15 ns, riducendo la perdita trr di circa il 37% e la perdita di commutazione complessiva di circa il 26% rispetto ai prodotti Trench-MOS generici, contribuendo così a un minore consumo energetico nelle applicazioni. La nuova struttura migliora anche le perdite VF e IR rispetto agli SBD planari convenzionali. Ciò consente una minore perdita di potenza quando utilizzati in applicazioni polarizzate direttamente, come la rettificazione, riducendo al contempo il rischio di instabilità termica, un problema importante per gli SBD. In questo senso, sono ideali per assemblaggi che richiedono commutazioni ad alta velocità, come i circuiti di pilotaggio per i fari a LED per autoveicoli e i convertitori DC-DC nei veicoli elettrici, che tendono a generare calore.
In futuro, ROHM si impegnerà a migliorare ulteriormente la qualità dei suoi dispositivi a semiconduttore, dalle basse alle alte tensioni, continuando al contempo a rafforzare la sua ampia gamma per ridurre ulteriormente il consumo energetico e raggiungere una maggiore miniaturizzazione.
Struttura Trench-MOS SBD:
La struttura Trench-MOS viene creata formando una trincea con polisilicio nello strato epitassiale del wafer per mitigare la concentrazione del campo elettrico. Ciò riduce la resistenza dello strato epitassiale del wafer e si traduce in una tensione diretta (VF) inferiore quando viene applicata una tensione diretta. Contemporaneamente, durante la polarizzazione inversa, la concentrazione del campo elettrico viene minimizzata, riducendo significativamente la resistenza inerziale (IR). Di conseguenza, la serie YQ migliora VF e IR rispettivamente di circa il 7% e l'82% rispetto ai prodotti convenzionali.
A differenza delle tipiche strutture MOS a trincea, dove il trr è peggiore rispetto ai tipi planari a causa della maggiore capacità parassita (componente resistiva nel dispositivo), la serie YQ raggiunge un trr leader del settore di 15 ns grazie all'adozione di un design strutturale unico. Ciò riduce le perdite di commutazione di circa il 26% e contribuisce a un minore consumo energetico nelle applicazioni.
Esempi di applicazione
• Fari a LED per applicazioni automobilistiche
• Convertitori DC-DC per xEV
• Alimentatori per apparecchiature industriali
• Illuminazione
Allineare
Pagina del prodotto e informazioni correlate:
sul sito web di ROHM sono disponibili note applicative che evidenziano i vantaggi di questi nuovi prodotti nei circuiti, nonché un white paper che illustra in dettaglio le caratteristiche di ciascuna serie di SBD. È inoltre disponibile una pagina dedicata agli SBD, che consente agli utenti di filtrare le opzioni di prodotto inserendo le condizioni di tensione e altri parametri, semplificando il processo di selezione in fase di progettazione. Fare clic sui seguenti URL per ulteriori informazioni.
Pagina del prodotto ROHM SBD
: https://www.rohm.com/products/diodes/schottky-barrier-diodes
Note applicative
Serie YQ Vantaggi: Diodi a barriera Schottky compatti e ad alta efficienza per la conversione di potenza in ambito automobilistico
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/applinote/discrete/diodes/yq_sbd_automotive_an-e.pdf
White paper:
La gamma SBD di ROHM contribuisce a una maggiore miniaturizzazione e alla riduzione delle perdite nelle apparecchiature per i settori automobilistico, industriale e dei beni di consumo.
https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/white_paper/discrete/diodes/sbd_lineup_wp-e.pdf
