La sicurezza delle batterie agli ioni di litio è migliorata da circuiti di protezione robusti che riducono al minimo la generazione di calore durante la carica e la scarica. Per ottenere le prestazioni di carica richieste, questi circuiti devono avere un basso consumo energetico. Data la natura compatta di queste soluzioni, i MOSFET appropriati devono essere piccoli e sottili, offrendo al contempo una bassa resistenza di giunzione.
Il nuovo SSM14N956L da 20 A è progettato per una tensione source-source (VSSS) di 12 V e utilizza il microprocessore Toshiba, proprio come il precedente SSM10N954L da 13,5 A. Ciò garantisce eccellenti caratteristiche di bassa resistenza di accensione (RSS(ON)), fino a 1 mΩ, limitando le perdite di conduzione. Inoltre, il processo offre una bassa corrente di dispersione gate-source (IGSS) di ±1 µA (max.), consentendo un basso consumo energetico in modalità standby. Insieme, queste caratteristiche consentono una maggiore autonomia della batteria tra una ricarica e l'altra.
Per adattarsi allo spazio limitato disponibile in queste applicazioni, il nuovo SSM14N956L è progettato in un package a livello di chip, noto come TCSPED-302701. Le sue dimensioni sono di soli 2,74 mm x 3,0 mm, con un'altezza tipica di appena 0,085 mm.
