Negli ultimi anni, a causa della crescente domanda di sistemi server in risposta al numero sempre maggiore di dispositivi IoT, il miglioramento dell'efficienza di conversione energetica e la riduzione delle dimensioni sono diventati importanti temi sociali che richiedono nuovi progressi nel settore dei dispositivi di alimentazione.
Poiché i dispositivi GaN offrono generalmente caratteristiche di commutazione superiori e una minore resistenza alla conduzione rispetto ai dispositivi al silicio, si prevede che contribuiranno a ridurre il consumo energetico di diversi alimentatori e a un'ulteriore miniaturizzazione dei componenti periferici.
Oltre alla produzione in serie di dispositivi SiC all'avanguardia e dispositivi al silicio multifunzione, ROHM ha sviluppato dispositivi GaN che offrono prestazioni superiori ad alta frequenza nella gamma di media tensione, consentendoci di fornire soluzioni di alimentazione per una più ampia varietà di applicazioni.
Questi nuovi prodotti utilizzano un design originale che innalza la tensione nominale gate-source dai convenzionali 6V a 8V. Di conseguenza, si previene il degrado, anche in presenza di sovratensioni superiori a 6V durante la commutazione, migliorando così il margine di progettazione e aumentando l'affidabilità dei circuiti di alimentazione. La serie GNE10xxTB è offerta in un package estremamente versatile che garantisce un'eccellente dissipazione del calore e un'elevata capacità di corrente, facilitando la manipolazione durante l'assemblaggio.
ROHM ha registrato i suoi dispositivi GaN, che contribuiscono a un maggiore risparmio energetico e alla miniaturizzazione, con il nome EcoGaN™, e sta lavorando per ampliare la gamma con dispositivi che ne migliorano le prestazioni. In futuro, ROHM continuerà a sviluppare circuiti di controllo integrati che sfruttano la tecnologia di alimentazione analogica, come Nano Pulse Control™, e moduli che incorporano questi circuiti integrati, insieme a soluzioni energetiche che contribuiscono a una società sostenibile massimizzando le prestazioni dei dispositivi GaN.
Il professor Masayoshi Yamamoto, della Facoltà di Ingegneria dell'Università di Nagoya, ha affermato che
quest'anno il Ministero dell'Economia, del Commercio e dell'Industria (METI) giapponese ha fissato l'obiettivo di un risparmio energetico del 30% per i nuovi data center entro il 2030, ovvero tra meno di 10 anni. Tuttavia, questi sistemi non devono essere solo efficienti dal punto di vista energetico, ma anche resilienti e stabili, poiché sono diventati una parte vitale della nostra infrastruttura sociale.
In risposta a questa situazione, ROHM ha sviluppato un nuovo dispositivo GaN che offre una tensione di gate non disruptiva di 8 V, leader del settore, garantendo un elevato grado di durata e stabilità, oltre a un notevole risparmio energetico. Partendo da questi prodotti, ROHM continuerà a migliorare l'efficienza degli alimentatori combinandoli con la sua tecnologia brevettata di alimentazione analogica Nano Pulse Control™, creando un importante trend tecnologico che aiuterà i settori dei semiconduttori e delle telecomunicazioni a raggiungere la neutralità carbonica entro il 2040.
Cos'è EcoGaN™?
EcoGaN™ si riferisce a dispositivi GaN che contribuiscono al risparmio energetico e alla miniaturizzazione massimizzando la bassa resistenza di conduzione e le caratteristiche di commutazione ad alta velocità del GaN. L'obiettivo è ridurre il consumo energetico delle applicazioni, miniaturizzare i componenti periferici e diminuire la complessità della progettazione e il numero di componenti necessari.
*EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio registrato di ROHM Co., Ltd.
Esempi di applicazione (Fig. 4)
• Circuiti convertitori buck a 48 V per data center e stazioni base
• Circuiti convertitori boost per il blocco amplificatore di potenza delle stazioni base
• Circuiti di pilotaggio LiDAR e circuiti di ricarica wireless per dispositivi portatili
• Amplificatori audio di classe D
Circuiti di esempio
Gamma di prodotti
