L'IRG7PK35UD1PbF, che integra un diodo a bassissima tensione diretta nello stesso package, utilizza la tecnologia Gen7 a trench su wafer sottili di IR per fornire una VCE(ON) estremamente bassa e una commutazione ultraveloce, garantendo le perdite di conduzione e di commutazione più basse per migliorare l'efficienza del sistema nelle applicazioni di riscaldamento a induzione. L'ampio intervallo di tensione del dispositivo, fino a 1400 V, consente la progettazione di convertitori di potenza risonanti paralleli a terminazione singola con potenze di uscita più elevate e offre una protezione migliorata per progetti più robusti.
 
L'IRG7PK35UD1PbF amplia la consolidata famiglia di IGBT di IR per applicazioni di soft-switching fino a 1400 V, estendendo così la gamma di potenza dei sistemi di riscaldamento a induzione. La specializzazione di IR nelle applicazioni di potenza consente l'ottimizzazione dei dispositivi per soddisfare i requisiti tecnici di diversi sistemi di alimentazione. Per
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