Grazie all'avanzato processo epitassiale di Toshiba, la nuova serie di MOSFET a supergiunzione DTMOS IV-H è ideale per applicazioni che richiedono elevata affidabilità, efficienza energetica e design compatto. Sono adatti per alimentatori switching ad alta efficienza per server e stazioni base di telecomunicazione, nonché per condizionatori di potenza per inverter fotovoltaici.
 
La nuova serie raggiunge prestazioni di commutazione ad alta velocità mantenendo la bassa resistenza di conduzione dei DTMOS IV convenzionali, il tutto senza perdite di potenza. Questo risultato è ottenuto grazie alla riduzione della capacità parassita gate-drain (la Ciss tipica varia da 3000 a 6500 pF), che contribuisce anche a migliorare l'efficienza energetica e a ridurre le dimensioni del prodotto.
 
Il pattern di gate ottimizzato si traduce in una riduzione del 45% del carico gate-drain (la Qg tipica varia da 65 a 135 nC) rispetto ai DTMOS IV convenzionali. La nuova linea di prodotti presenta una bassa resistenza di conduzione (RDS(ON) MAX a VGS=10V varia da 0,088 a 0,040 Ω) e i dispositivi mostrano solo un leggero aumento della resistenza di conduzione ad alte temperature grazie al processo di fabbricazione epitassiale. L'assorbimento di corrente varia da 6,8 a 30,8 A.
 
La nuova serie DTMOS IV-H è attualmente disponibile in package T0-247, con ulteriori opzioni di package, tra cui DFN 8x8 mm, T0-220 e T0-220SIS, in arrivo a breve.

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