Il prodotto MN63Y1221-E1 beneficia di una memoria non volatile FeRAM integrata da 8 kbit con velocità di scrittura elevate e basso consumo energetico, fornisce un'interfaccia host I2C ed è disponibile in un piccolo package SON8.
La memoria FeRAM da 8 kbit integrata nel tag NFC consente 100 milioni di cicli di scrittura e può essere protetta con una password a 128 bit contro gli accessi non autorizzati. Il componente dispone anche di un'uscita di power harvesting che consente di alimentare il dispositivo host sfruttando l'energia raccolta dal campo magnetico NFC. La tensione di alimentazione varia da 1,7 V a 3,6 V. Il MN63Y1221-E1 è già in produzione di serie ed è disponibile direttamente da Panasonic e tramite il distributore Rutronik.
Thomas Portenlänger, Technical Product and Marketing Manager di Panasonic Automotive & Industrial Systems Europe, ha commentato: "Il nostro nuovo circuito integrato per tag NFC MN63Y1221-E1 offre tre modalità di comunicazione: RF, seriale e tunnel (la modalità tunnel consente la comunicazione diretta tra lettore/scrittore e host). Grazie alla sua interoperabilità globale, questo rende il nuovo dispositivo ideale per numerose applicazioni.".
