Andrea Bricconi, Direttore Commerciale di CGD, afferma: “La crescita esponenziale dell'IA sta determinando un aumento significativo del consumo energetico, spingendo i progettisti di sistemi per data center a dare priorità all'utilizzo del GaN per soluzioni di alimentazione efficienti e ad alta potenza. Questa nuova serie di circuiti integrati Power GaN rappresenta un ulteriore passo avanti nell'impegno di CGD per aiutare i nostri clienti e partner a raggiungere e superare la densità di potenza di 100 kW/rack nei data center, richiesta dalle più recenti tendenze TDP (Thermal Design Power) per il calcolo ad alta densità.” Per quanto riguarda gli inverter per il controllo dei motori, gli sviluppatori si stanno rivolgendo al GaN per ridurre il calore e realizzare sistemi di alimentazione più piccoli e durevoli. Questi sono solo due esempi dei mercati a cui CGD si sta ora rivolgendo con decisione con questi nuovi circuiti integrati ICeGaN ad alta potenza. La progettazione semplificata del driver di gate e i costi di sistema ridotti, combinati con un packaging avanzato e ad alte prestazioni, rendono i circuiti integrati della serie P2 una scelta eccellente per queste applicazioni.
I circuiti integrati ICeGaN, che incorporano un circuito di Miller clamp on-chip per eliminare le perdite durante la commutazione rapida e uno spegnimento a 0V per minimizzare le perdite di conduzione inversa, superano le prestazioni dei circuiti integrati GaN e-Mode discreti e di altre tecnologie esistenti. I nuovi package offrono una resistenza termica migliorata di soli 0,28 K/W, equivalente o superiore a qualsiasi altro prodotto attualmente disponibile sul mercato, e la disposizione a doppio pin di gate del package DHDFN-9-1 (Dual Heat-spreader DFN) a doppia faccia facilita la progettazione ottimale del PCB e il facile parallelismo per la scalabilità, consentendo ai clienti di affrontare con facilità applicazioni multi-kW. I nuovi package sono inoltre progettati per migliorare la produttività, con bordi bagnabili per semplificare l'ispezione ottica.
I nuovi circuiti integrati di potenza ICeGaN della serie P2 sono attualmente in fase di test. La famiglia comprende quattro dispositivi con livelli di RDS(on) di 25 mΩ e 55 mΩ, potenze nominali di 60 A e 27 A, rispettivamente, in package DHDFN-9-1 e BHDFN-9-1 (Bottom Heat-spreader DFN) con ingombro di 10 x 10 mm. Come tutti i prodotti ICeGaN di CGD, la serie P2 può essere pilotata da qualsiasi driver MOSFET o IGBT standard.
Due schede dimostrative integrano i nuovi dispositivi P2: una scheda dimostrativa di un inverter trifase per autoveicoli, sviluppata in collaborazione con l'istituto pubblico francese di ricerca e sviluppo IFP Energies nouvelles, e una scheda dimostrativa per la correzione del fattore di potenza di un totem da 3 kW.
I nuovi circuiti integrati di potenza GaN ICeGaN della serie P2 e le relative schede dimostrative sono stati presentati al pubblico in occasione della fiera PCIM, presso lo stand CGD n. 7643, alla Nürnberg Messe di Norimberga, in Germania, dall'11 al 13 giugno 2024.
