I driver per gate IGBT SCALE-2 sono adatti al controllo di MOSFET di potenza e dispositivi basati su nuovi materiali come il carburo di silicio (SiC) operanti a frequenze di commutazione fino a 500 kHz.
I driver per gate IGBT SCALE-2 di Power Integrations si basano su un chipset ASIC avanzato che integra tutte le funzionalità di un core driver per gate a doppio canale in un'interfaccia LDI (Logic-to-Driver) primaria e in un chip IGD (Intelligent Gate Driver) secondario. L'elevato livello di integrazione del chipset ASIC consente una drastica riduzione del numero di componenti discreti, con conseguenti vantaggi in termini di costi e affidabilità per i progettisti. I moduli sono disponibili con tensioni di blocco da 600 V a 6500 V e potenze da 1 W a 20 W per canale. Per garantire prestazioni ottimali nel pilotaggio diretto di elementi DMOS di tipo N esterni, gli stadi di pre-driver di ciascun modulo incorporano resistori di gate separati per il controllo indipendente della funzionalità on/off.
Ciascun modulo offre ai progettisti flessibilità e funzionalità di prodotto grazie a prestazioni di commutazione dinamica e precisione ottimali, garantendo elevata affidabilità e prestazioni analogiche, il tutto con dimensioni digitali ridotte che ottimizzano costi e prestazioni. I moduli offrono tutte le funzioni di controllo comuni necessarie per il funzionamento di un'ampia gamma di applicazioni industriali, di controllo motori, di trasmissione di potenza, di trazione, solari, eoliche e automobilistiche.
