ROHM Semiconductor offre una vasta gamma di MOSFET SiC per tutte queste applicazioni. Ma scegliere il MOSFET SiC giusto non è sufficiente: è necessario utilizzare anche il circuito integrato di pilotaggio del gate appropriato. I modelli BM61S40RFV-C e BM61S41RFV-C, ad esempio, offrono una tensione di isolamento di 3750 Vrms, un tempo di ritardo I/O di 65 ns e una larghezza minima dell'impulso di ingresso di 60 ns. Grazie alle funzioni di protezione integrate come Miller Clamp e Undervoltage Lockout (UVLO), questi circuiti integrati sono adatti per pilotare tutti i MOSFET SiC di ROHM. In alternativa, i circuiti integrati di pilotaggio del gate possono essere utilizzati anche per pilotare i tradizionali MOSFET e IGBT al silicio.
- Dettagli
- Categoria: Circuiti integrati
MOSFET SiC: circuiti integrati per il pilotaggio del gate in applicazioni industriali e automobilistiche
I semiconduttori WBG non sono più una tecnologia futuristica: i MOSFET in SiC, ad esempio, promettono vantaggi in svariate applicazioni, dai caricabatterie di bordo e convertitori DC/DC per il settore automobilistico alle applicazioni industriali come sistemi fotovoltaici, sistemi di alimentazione ininterrotta, ecc.
Rivista cartacea
Prezzo dell'abbonamento annuale:
Riceverai tutte le 10 edizioni pubblicate ogni anno.
reti sociali
Notizie popolari Elettronica
📱 Per installare l'app:
tocca Condividi → Aggiungi alla schermata iniziale
tocca Condividi → Aggiungi alla schermata iniziale
Rivista spagnola di elettronica. Pubblicata da oltre 25 anni.
Spagna - Madrid - Tutti i diritti riservati © Convertronic Professional Spanish Electronics Magazine.