Tutti i dispositivi offrono non solo funzionalità di gestione energetica ottimizzate, ma anche un design innovativo e compatto che si adatta alle esigenze di un'ampia gamma di applicazioni, ad esempio alimentatori di grandi dimensioni, inverter, apparecchiature industriali, server e altro ancora.
In primo piano
Moduli di potenza SiC completi da 1200 V/300 A.
Il nuovo BSM300D12P2E001 è particolarmente adatto per applicazioni ad alta potenza, come alimentatori di grande capacità per apparecchiature industriali, grazie alla sua corrente nominale di 300 A. Inoltre, presenta perdite di commutazione inferiori del 77% rispetto ai moduli IGBT convenzionali, consentendo un funzionamento ad alta frequenza e permettendo l'utilizzo di sistemi di raffreddamento e componenti periferici più piccoli. ROHM ha integrato un nuovo design del package che minimizza l'impatto dei picchi di tensione durante la commutazione. Una struttura di mitigazione del campo elettrico originale, insieme a un nuovo metodo di schermatura, viene utilizzata per fornire un'elevata affidabilità, rendendolo un sostituto ideale per i moduli IGBT con correnti massime nominali superiori. Il nuovo dispositivo completa la gamma esistente di moduli di potenza SiC completi da 1200 V/120 A (inclusi MOSFET e SBD) e 1200 V/180 A (solo MOSFET), che hanno già registrato una crescente adozione nei settori industriale ed energetico.
IGBT-IPM (Intelligent Power Modules)
La nuova famiglia di IPM (Intelligent Power Modules) per il controllo efficiente dei motori e le applicazioni con inverter comprende moduli basati su IGBT ottimizzati per il funzionamento a bassa o alta velocità, nonché IPM basati su MOSFET che incorporano la tecnologia brevettata Low Ron SuperJunction MOSFET (PrestoMOS™) di ROHM, il tutto in un package HSDIP25 compatto. Ciò offre ai progettisti di motori per elettrodomestici e industriali una soluzione altamente affidabile e una moltitudine di opzioni di progettazione economicamente vantaggiose. I nuovi dispositivi riducono significativamente le perdite di potenza sia con carichi leggeri che pesanti, aumentando al contempo la capacità di potenza. La linea completa comprende IGBT-IPM da 10 A, 15 A e 20 A a 600 V; le versioni da 30 A sono in fase di sviluppo.
Circuiti integrati di controllo per convertitori AC/DC con MOSFET in SiC:
il BD7682FJ-LB consente una facile implementazione dei MOSFET in SiC in un convertitore AC/DC, superando le difficoltà delle configurazioni a componenti discreti. Offre una soluzione altamente integrata e definisce nuovi standard per il risparmio energetico e la miniaturizzazione, supportando al contempo l'adozione di semiconduttori di potenza in SiC. Rispetto ai MOSFET al silicio utilizzati nei convertitori AC/DC convenzionali, i MOSFET in SiC consentono di realizzare convertitori AC/DC con un'efficienza energetica migliorata fino al 6%. Inoltre, non sono necessari componenti di dissipazione del calore (come alimentatori da 50 W), con conseguente maggiore compattezza. Le specifiche del BD7682FJ-LB includono anche diverse funzioni di protezione che consentono il supporto di tensioni elevate fino a 690 V CA, rendendoli ideali per apparecchiature industriali generiche e migliorandone l'affidabilità.
