Il BD7682FJ-LB consente una facile implementazione dei MOSFET SiC in un convertitore AC/DC. La progettazione di convertitori AC/DC si è rivelata complessa quando si utilizzano configurazioni a componenti discreti a causa dell'elevato numero di componenti necessari. Al contrario, l'ultimo prodotto di ROHM offre una soluzione altamente integrata e stabilisce nuovi standard in termini di risparmio energetico e miniaturizzazione, supportando al contempo l'adozione di semiconduttori di potenza SiC che offrono livelli avanzati di efficienza e prestazioni.
Rispetto ai MOSFET al silicio utilizzati nei convertitori AC/DC convenzionali, i MOSFET al SiC consentono di ottenere convertitori AC/DC con un'efficienza energetica superiore fino al 6%. Inoltre, eliminano la necessità di componenti per la dissipazione del calore (ad esempio, nei sistemi di alimentazione da 50 W), consentendo la realizzazione di sistemi più compatti. La specifica BD7682FJ-LB include anche diverse funzioni di protezione che supportano tensioni elevate fino a 690 Vac, rendendoli ideali per apparecchiature industriali generiche e migliorandone al contempo l'affidabilità.
Negli ultimi anni, si è registrata una crescente tendenza al risparmio energetico in tutti i settori. Ciò include le applicazioni per apparecchiature industriali ad alta tensione. Il raggiungimento di questo obiettivo richiede l'adozione di semiconduttori di potenza avanzati e circuiti di alimentazione integrati. Tra questi, i semiconduttori di potenza in SiC dovrebbero guadagnare terreno rispetto alle soluzioni in silicio grazie alle loro maggiori capacità di tensione, al maggiore risparmio energetico e al fattore di forma più compatto.
Tuttavia, fino ad ora non esisteva un circuito integrato di controllo in grado di estrarre prestazioni sufficienti dai MOSFET SiC, in particolare nei sistemi di conversione AC/DC. Di conseguenza, i progettisti si trovano ad affrontare numerose sfide relative al consumo energetico e alla stabilità in una varietà di applicazioni ad alta potenza.
Per soddisfare queste esigenze, ROHM sfrutta una tecnologia analogica collaudata, combinata con la sua esperienza nei semiconduttori di potenza SiC, per sviluppare il primo controller per convertitori AC/DC del settore, specificamente progettato per il controllo dei MOSFET SiC. In prospettiva, ROHM continuerà a essere all'avanguardia nello sviluppo di soluzioni leader del settore, tra cui la realizzazione di nuovi circuiti di controllo integrati per convertitori AC/DC con MOSFET SiC integrati.
Caratteristiche principali
1. Massimizza le prestazioni dei MOSFET SiC con un risparmio energetico innovativo
Il BD7682FJ-LB integra un circuito di controllo del gate ottimizzato per i driver dei MOSFET SiC, combinando la tecnologia di progettazione analogica con l'esperienza nello sviluppo di semiconduttori di potenza SiC. Inoltre, un sistema quasi risonante offre un rumore inferiore e una maggiore efficienza rispetto ai metodi PWM convenzionali, consentendo di massimizzare le prestazioni dei MOSFET SiC utilizzati nei convertitori AC/DC, con conseguente significativo risparmio energetico.
2. I MOSFET SiC contribuiscono a una miniaturizzazione senza precedenti.
A differenza dei MOSFET al silicio convenzionali, l'adozione dei MOSFET SiC nei convertitori AC/DC elimina la necessità di componenti di dissipazione del calore, contribuendo a realizzare convertitori AC/DC più piccoli e leggeri. È inoltre garantito il supporto per frequenze di commutazione più elevate (ad esempio, 120 kHz), ampliando l'applicabilità e migliorando al contempo l'efficienza.
3. Diversi circuiti di protezione supportano il funzionamento ad alta tensione fino a 690 Vac.
I numerosi circuiti di protezione consentono il funzionamento ad alta tensione nei convertitori AC/DC fino a 690 Vac, ideale per le applicazioni industriali generiche a 400 Vac. Oltre alla protezione da sovratensione per il pin di alimentazione e alla contromisura brown in/out (sottotensione) per il pin di ingresso, sono incluse anche funzioni di protezione da sovracorrente e sovratensione secondaria, che consentono il funzionamento continuo nelle apparecchiature industriali migliorando significativamente l'affidabilità.
Vantaggi dei MOSFET SiC:
I MOSFET SiC offrono diversi vantaggi rispetto ai MOSFET al silicio nella regione ad alta tensione, tra cui basse perdite di commutazione e di conduzione, elevata compatibilità con potenze elevate e maggiore resistenza alle variazioni di temperatura. Sfruttando questi vantaggi è possibile migliorare l'efficienza di conversione di potenza, miniaturizzare i componenti per la dissipazione del calore, aumentare la frequenza operativa per supportare induttori più piccoli e altro ancora, con conseguente maggiore risparmio energetico, minor numero di componenti e minore ingombro.
