Microchip Technology Inc. ha annunciato l'espansione del proprio portfolio SiC con l'introduzione di MOSFET SiC da 3,3 kV caratterizzati dalla più bassa resistenza di conduzione [RDS(on)] e di diodi Schottky a barriera (SBD) SiC con la più alta corrente nominale sul mercato, consentendo ai progettisti di sfruttarne robustezza, affidabilità e prestazioni. Grazie a questo portfolio SiC ampliato, i progettisti di Microchip dispongono degli strumenti per sviluppare soluzioni più piccole, leggere ed efficienti per i trasporti elettrificati, le energie rinnovabili, il settore aerospaziale e le applicazioni industriali.
Molti progetti basati sul silicio hanno raggiunto i loro limiti in termini di massima efficienza, riduzione dei costi di sistema e innovazione applicativa. Sebbene il SiC ad alta tensione sia un'alternativa comprovata per raggiungere questi risultati, la disponibilità di dispositivi di potenza SiC da 3,3 kV è stata finora limitata. I MOSFET e gli SBD da 3,3 kV di Microchip si aggiungono al catalogo completo di soluzioni SiC dell'azienda, che comprende dispositivi discreti non incapsulati, moduli e driver di gate digitali per tensioni di 700 V, 1200 V e 1700 V.
I dispositivi di potenza SiC a 3,3 kV di Microchip includono MOSFET con una RDS(on) di 25 mOhm, la più bassa sul mercato, e SBD con una corrente nominale di 90 A, la più alta sul mercato. Sia i MOSFET che gli SBD sono disponibili con o senza package. Questi nuovi livelli di prestazioni consentono ai progettisti di semplificare i loro progetti, creare sistemi di potenza più elevati e utilizzare un minor numero di componenti in parallelo per soluzioni di potenza più piccole, leggere ed efficienti.
"Ci concentriamo su sviluppi che consentano ai nostri clienti di introdurre rapidamente innovazioni nei loro sistemi e di migliorare più rapidamente il vantaggio competitivo dei loro prodotti finali", ha affermato Leon Gross, vicepresidente della Business Unit Prodotti Discreti di Microchip. "La nostra nuova famiglia di prodotti di potenza SiC a 3,3 kV consente ai clienti di adottare la tecnologia SiC ad alta tensione in modo semplice, rapido e sicuro, raccogliendo i numerosi vantaggi di questa entusiasmante tecnologia rispetto ai progetti basati sul silicio."
Microchip ha annunciato la produzione di centinaia di dispositivi e soluzioni di potenza in SiC nei prossimi tre anni, garantendo ai progettisti la possibilità di trovare la giusta combinazione di tensione, corrente e package per le loro esigenze applicative. Tutti i MOSFET e gli SBD in SiC di Microchip sono progettati pensando alla fiducia del cliente e offrono i massimi livelli di robustezza e affidabilità sul mercato. I dispositivi dell'azienda rispettano le pratiche di obsolescenza definite dal cliente, garantendo che continueranno a essere prodotti finché i clienti ne avranno bisogno e Microchip sarà in grado di produrli.
I clienti possono combinare i prodotti SiC di Microchip con altri dispositivi Microchip, come i microcontrollori a 8, 16 e 32 bit, i dispositivi di gestione dell'alimentazione, i sensori analogici, i controller touch e gestuali e le soluzioni di connettività wireless, per creare sistemi completi a un costo totale di proprietà inferiore.
Strumenti di sviluppo:
l'ampio portfolio di dispositivi SiC è supportato da una gamma di modelli SPICE per SiC compatibili con i moduli di simulazione analogica MPLAB® Mindi™ e i progetti di riferimento delle schede di controllo Microchip. Lo strumento di configurazione intelligente (ICT) consente ai progettisti di sviluppare modelli efficienti di driver di gate SiC per la famiglia AgileSwitch® di Microchip, composta da driver di gate digitali configurabili.
Disponibilità:
sono ora accettati ordini per questi dispositivi SiC discreti da 3,3 kV, non incapsulati, disponibili in diverse opzioni di package.
