L'AUIRB24427S eroga una corrente di uscita molto elevata, superiore a 6 A per canale, su tutto l'intervallo di temperatura ed è progettato per il controllo di gate IGBT e MOSFET di grandi dimensioni in moduli o package discreti. Grazie all'impedenza di uscita estremamente bassa del dispositivo, sia in modalità on che off, anche le perdite di potenza sono molto ridotte, consentendo il funzionamento in ambienti difficili e ad alta temperatura, come ad esempio gli stadi di alimentazione dei veicoli ibridi, sia come driver primario che secondario.
Fornito in un semplice package PSOIC-8N e caratterizzato da una dissipazione di potenza ultra-bassa, l'AUIRB24427S affronta efficacemente la sfida del controllo di IGBT e MOSFET di grandi dimensioni utilizzati nelle applicazioni di alimentazione switching, offrendo una soluzione più piccola, semplice e robusta rispetto alle opzioni discrete attualmente disponibili.
L'AUIRB24427S è fornito in un package PSOIC-8N termicamente ottimizzato che offre una dissipazione di calore significativamente maggiore rispetto ai package SMD DIL standard, consentendo il funzionamento a temperature ambiente considerevolmente più elevate. Inoltre, lo stadio di uscita rail-to-rail, che utilizza MOSFET a canale P sul lato alto, consente una bassa caduta di tensione interna per ridurre la dissipazione di potenza. L'AUIRB24427S presenta anche una resistenza di uscita massima di 650 mΩ sia per il consumo che per l'alimentazione a 125 °C.
Questo dispositivo per auto omologato è privo di piombo e conforme alla direttiva RoHS.
