Questo driver per gate MOSFET è progettato per la configurazione di un multiplexer di potenza o di un circuito di commutazione di carico che incorpora il blocco della corrente inversa insieme a una connessione back-to-back di MOSFET esterni a canale N.
 
Il TCK421G è dotato di un circuito di pompa di carica che supporta un ampio intervallo di tensione di ingresso (VIN) da 2,7 a 28,0 V e fornisce un'alimentazione stabile di 10 V alla tensione gate-source dei MOSFET esterni, facilitando così la commutazione ad alta corrente. La tipica corrente di ingresso a riposo quando ON (IQ(ON)) ha un valore minimo di 140 mA, mentre la corrente di standby quando OFF (IQ(OFF)) è di soli 0,5 mA. Inoltre, il TCK421G include protezione da sovratensione e sottotensione. La tensione di controllo del gate può essere selezionata in base all'applicazione.
 
Il dispositivo, fornito in un package WCSP6G, occupa una superficie di soli 1,2 mm x 0,8 mm e ha un'altezza di 0,35 mm. Si tratta di uno dei package più piccoli del settore, che consente l'utilizzo di dispositivi ad alta densità come dispositivi indossabili e smartphone.
 
Il TCK421G è il primo prodotto annunciato di una serie che sarà composta da sei dispositivi. Grazie all'elevata efficienza e alle dimensioni ridotte, il nuovo driver può essere utilizzato in un'ampia varietà di applicazioni, tra cui apparecchiature alimentate a batteria, dispositivi di consumo e apparecchiature industriali.

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