Toshiba Electronics Europe ha annunciato un nuovo driver high-gate per MOSFET di potenza a canale N, controllabile tramite un ingresso logico a 3,3 V.È dotato di protezione da cortocircuito, funzioni diagnostiche e una funzione di prevenzione della corrente inversa per impedire il flusso di corrente in caso di inversione di polarità della batteria. Il TPD7104AF è progettato per applicazioni automobilistiche come interruttori di accensione/spegnimento nei sistemi start/stop, relè a semiconduttore nelle centraline elettroniche (ECU) e scatole di derivazione nei sistemi a batteria da 12 V.
Combinando un driver di gate TPD7104AF e un MOSFET di potenza a canale N, è possibile realizzare facilmente un relè a semiconduttore grazie alla pompa di carica integrata. L'aggiunta di una resistenza di shunt abilita la protezione dai cortocircuiti e le funzioni diagnostiche.
Il TPD7104AF ha una corrente di dispersione in uscita molto bassa per la condizione di polarizzazione inversa della batteria: IRev = -1μA (min) (@ Tj = 25 ° C) [1] Alloggiato in un package PS-8 compatto, il dispositivo misura solo 2,8 mm x 2,9 mm.
[1] Il pin n. 4 è aperto e VDD = da -5 a -18V.
