Questo nuovo componente offre una maggiore densità di potenza, consentendo una riduzione delle dimensioni e un risparmio di spazio sul PCB, migliorando l'efficienza e fornendo una corrente più elevata.
Grazie alle bassissime resistenze di conduzione,
è ideale per la progettazione di alimentatori, POL o convertitori DC/DC in applicazioni quali telecomunicazioni, radiofrequenza o PC/server.
Caratteristiche
: • MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV.
• MOSFET low-side SkyFET® con resistenza Schottky integrata.
• Testato al 100% per Rg e UIS.
• Configurazione half-bridge in un formato di 3,3 mm x 3,3 mm.
• Classificazione dei materiali: per le definizioni di conformità, visitare www.vishay.com/doc?99912
Applicazioni
• Alimentatori per CPU
• Periferiche per PC/Server
• Convertitori POL/BUCK
• Telecomunicazioni DC/DC
