Disponibili nei package TOLT, TO-247 e TOLL, questi dispositivi offrono agli ingegneri la flessibilità di personalizzare la gestione termica e la progettazione della scheda per specifiche architetture di potenza.
I nuovi dispositivi TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS e TP65H030G4PQS sfruttano la robusta piattaforma SuperGaN®, un'architettura a modalità di svuotamento (d-mode) normalmente spenta, collaudata sul campo e sviluppata da Transphorm, acquisita da Renesas nel giugno 2024.
Basati sulla tecnologia a bassa perdita, questi dispositivi offrono un'efficienza superiore rispetto al silicio, al carburo di silicio (SiC) e ad altre soluzioni GaN. Inoltre, minimizzano le perdite di potenza grazie a un minore carico di gate, una minore capacità di uscita, perdite di crossover e un minore impatto della resistenza dinamica, raggiungendo al contempo una tensione di soglia più elevata di 4 V, un risultato non ottenibile con gli attuali dispositivi GaN a modo di arricchimento (e-mode).
Realizzati su un chip più piccolo del 14% rispetto alla precedente piattaforma Gen IV, i nuovi prodotti Gen IV Plus raggiungono una resistenza RDS(on) inferiore di 30 milliohm (mΩ), riducendo la resistenza di conduzione del 14% e offrendo un miglioramento del 20% nel rapporto tra resistenza di conduzione e capacità di uscita (FOM). Le dimensioni ridotte del chip riducono i costi di sistema e la capacità di uscita, con conseguente aumento dell'efficienza e della densità di potenza. Questi vantaggi rendono i dispositivi Gen IV Plus ideali per applicazioni critiche in termini di costi e con elevate esigenze termiche, dove prestazioni elevate, efficienza e dimensioni ridotte sono fondamentali. Sono pienamente compatibili con i progetti esistenti, consentendo facili aggiornamenti e preservando gli investimenti di progettazione già effettuati.
Disponibili nei compatti package TOLT, TO-247 e TOLL, questi dispositivi offrono una delle più ampie opzioni di package per soddisfare le esigenze di prestazioni termiche e ottimizzazione del design di sistemi di potenza da 1 kW a 10 kW, e anche superiori con connessioni in parallelo. I nuovi package a montaggio superficiale includono percorsi di conduzione termica sul lato inferiore (TOLL) e superiore (TOLT) per ridurre la temperatura del contenitore, facilitando il collegamento in parallelo dei dispositivi quando sono richieste correnti di conduzione più elevate. Inoltre, l'ampio package TO-247 offre ai clienti una maggiore capacità termica per una gestione di potenza superiore.
“Il lancio dei dispositivi GaN Gen IV Plus rappresenta la prima importante pietra miliare in termini di nuovi prodotti dall'acquisizione di Transphorm da parte di Renesas lo scorso anno”, ha dichiarato Primit Parikh, Vicepresidente della divisione GaN di Renesas. “Le versioni future combineranno la collaudata tecnologia SuperGaN con i nostri controller e driver per offrire soluzioni di alimentazione complete. Sia che vengano utilizzati come FET autonomi o integrati in progetti di sistemi completi con controller o driver Renesas, questi dispositivi forniranno un percorso chiaro per la progettazione di prodotti con maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte ed efficienza superiore a un costo totale di sistema inferiore.”.
Come i precedenti prodotti GaN in modalità d, i nuovi dispositivi di Renesas utilizzano un MOSFET al silicio a bassa tensione integrato, una configurazione unica che consente un funzionamento normalmente spento e non interrompibile, sfruttando appieno i vantaggi di commutazione a bassa perdita e alta efficienza del GaN ad alta tensione. Utilizzando FET al silicio per lo stadio di ingresso, i FET SuperGaN sono facilmente controllabili con driver di gate standard, anziché con i driver specializzati tipicamente richiesti per il GaN in modalità e. Questa compatibilità semplifica la progettazione e riduce le barriere all'adozione del GaN per gli sviluppatori di sistemi.
I dispositivi di commutazione basati su GaN stanno crescendo rapidamente come tecnologie chiave per i semiconduttori di potenza di prossima generazione, spinti dalla domanda di veicoli elettrici (EV), inverter, server per data center AI, energie rinnovabili e conversione di potenza industriale. Rispetto ai dispositivi di commutazione a semiconduttore basati su SiC e silicio, offrono un'efficienza superiore, frequenze di commutazione più elevate e dimensioni ridotte.
Disponibilità
I TP65H030G4PRS, TP65H030G4PWS e TP65H030G4PQS sono ora disponibili, insieme alla piattaforma di valutazione totem-pole GaN PFC da 4,2 kW (RTDTTP4200W066A-KIT).
