Nexperia annuncia la disponibilità in volume della sua famiglia di transistor GaN FET di potenza da 650 V di seconda generazione, che offre significativi vantaggi prestazionali rispetto alle tecnologie precedenti e ai dispositivi concorrenti. Con una resistenza RDS(on) fino a 35 mΩ (tipica), i nuovi GaN FET di potenza sono destinati ad alimentatori switching industriali monofase AC/DC e DC/DC (SMPS) da 2 kW a 10 kW, in particolare alimentatori per server e telecomunicazioni che devono soddisfare lo standard di efficienza 80 PLUS® Titanium. I dispositivi sono inoltre adatti per inverter solari e servoazionamenti nella stessa gamma di potenza.
Disponibili in un package TO-247, i nuovi GaN FET di potenza H2 da 650 V offrono una riduzione delle dimensioni del 36% per un dato valore di RDS(on), migliorando stabilità ed efficienza.

La configurazione a cascata elimina la necessità di driver complessi, accelerando il time to market. I dispositivi offrono prestazioni eccezionali sia in configurazioni hard-switching che soft-switching, garantendo ai progettisti la massima flessibilità.
Dilder Chowdhury, Strategic Marketing Director per GaN presso Nexperia, spiega: "Il titanio è il materiale più esigente tra quelli specificati nella norma 80 PLUS®, richiedendo un'efficienza superiore al 91% in condizioni di pieno carico (superiore al 96% al 50% di carico). Raggiungere questo livello di prestazioni nelle applicazioni di alimentazione per server con potenze pari o superiori a 2 kW, utilizzando componenti in silicio convenzionali, è complesso e impegnativo. I nuovi FET di potenza GaN di Nexperia sono perfettamente adatti a un'elegante configurazione totem pole senza ponte, che utilizza un numero inferiore di componenti e riduce sia le dimensioni fisiche che i costi."
I FET GaN GAN041-650WSB di Nexperia sono ora disponibili in grandi volumi.

Schede tecniche dei prodotti e brevi video didattici.
I progettisti possono vedere i transistor GaN FET di Nexperia in azione visitando lo stand Nexperia al PCIM Digital Days, dal 3 al 7 maggio.