Forniti in package TO-247 standard, questi dispositivi offrono prestazioni di prim'ordine per applicazioni industriali e di risparmio energetico.
I nuovi dispositivi Gen8 sono disponibili per correnti da 8 A a 60 A con una VCE(ON) tipica di 1,7 V e un tempo di risposta al cortocircuito di 10 µs per ridurre la dissipazione di potenza, con conseguente aumento della densità di potenza e robustezza superiore.
La nuova tecnologia offre caratteristiche di accensione più fluide per le applicazioni di azionamento motori, minimizzando dv/dt per ridurre le interferenze elettromagnetiche e le sovratensioni, aumentando al contempo affidabilità e robustezza. La precisa distribuzione dei parametri offre un'eccellente ripartizione della corrente quando più IGBT sono collegati in parallelo. La tecnologia a wafer sottile migliora la resistenza termica e la temperatura di giunzione massima raggiunge i 175 °C.
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- Categoria: Circuiti integrati
IGBT Gen8 da 1200 V in contenitori standard TO-247
International Rectifier introduce una piattaforma tecnologica IGBT (Transistor bipolare a gate isolato) di nuova generazione. La piattaforma IGBT di ottava generazione (Gen8) da 1200 V utilizza la tecnologia di arresto di campo a gate trincea di ultima generazione di IR
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