Lo SCH2080KE è il primo modulo di potenza in SiC a integrare con successo un diodo Schottky in SiC in un singolo package. La tensione diretta (VF) è ridotta del 70% o più, con conseguente minore perdita di potenza e un minor numero di componenti.
I transistor SiIGBT comunemente utilizzati negli inverter e nei convertitori a 1200 V causano perdite di potenza di commutazione dovute alla corrente di coda o al recupero dal FRD esterno, richiedendo quindi un modulo di potenza SiC in grado di operare con basse perdite di commutazione ad alte frequenze. Tuttavia, i moduli di potenza SiC convenzionali erano afflitti da problemi di affidabilità, tra cui il degrado delle caratteristiche dovuto alla conduzione del corpo del diodo (ad esempio, aumento della resistenza di conduzione, della tensione diretta e del degrado della resistenza) e guasti del film di ossido di gate, rendendo impossibile l'integrazione su larga scala.
ROHM è riuscita a superare questi problemi migliorando i processi relativi ai difetti nella struttura del cristallo e del dispositivo e riducendo la resistenza di accensione per unità di area di circa il 30% rispetto ai prodotti convenzionali, con conseguente maggiore miniaturizzazione.
ROHM è inoltre riuscita a integrare un SBD in SiC (che in precedenza doveva essere montato esternamente) nello stesso package utilizzando la sua tecnologia di montaggio brevettata, minimizzando la tensione diretta che rappresentava un problema nei precedenti diodi per moduli di potenza in SiC. Di conseguenza, lo SCH2080KE riduce la perdita di potenza operativa del 70% o più rispetto agli IGBT in Si utilizzati nei convertitori comuni. Ciò non solo garantisce minori perdite di commutazione, ma consente anche la compatibilità con componenti periferici più piccoli, supportando frequenze superiori a 50 kHz.
ROHM offre anche l'SCT2080KE, un modulo di potenza in SiC senza diodo Schottky interno in SiC. Sia l'SCH20801KE che l'SCT2080KE possono essere configurati per soddisfare le esigenze del cliente.
