Il nuovo switch RF SPDT ad alta potenza di Toshiba (TCWA1225G) offre una potenza di ingresso di picco di 46 dBm (@ 8 dB PAR). Questo risultato è stato ottenuto grazie all'adozione del processo CMOS proprietario di Toshiba e all'ottimizzazione dei circuiti di commutazione interni. Il processo CMOS riduce anche la perdita di inserzione, evitando così una diminuzione della potenza di trasmissione e della sensibilità del ricevitore. Di conseguenza, la perdita di inserzione del TCWA1225G è di 0,6 dB (tip. @ 5 GHz), circa il 10% inferiore rispetto a quella dei prodotti concorrenti.

La tensione di funzionamento nominale è di 3,3 V e il consumo energetico è di soli 50 μA. Il nuovo dispositivo può funzionare a temperature ambiente comprese tra -40 °C e +95 °C.

Il TCWA1225G è alloggiato in un minuscolo WCSP (Wafer-level Chip Scale Package) di soli 1,9 mm x 1,9 mm, un ingombro inferiore del 10% rispetto ad altri dispositivi. Tutti i pad importanti, inclusi i terminali RF, di alimentazione e di controllo, sono situati sulla periferia del dispositivo per semplificare la progettazione del circuito stampato.

Nell'ambito del lancio del 5G, le stazioni base di telecomunicazione hanno recentemente integrato la tecnologia Massive MIMO (multiple-input, multiple-output) e antenne multiple TX/RX per fornire servizi di comunicazione radio ad altissima velocità e capacità.

Le singole antenne sono sempre più spesso costituite da percorsi di trasmissione del segnale complessi che richiedono la commutazione RF. Ciò richiede basse perdite di inserzione e un'elevata potenza di ingresso in un formato compatto per mantenere o ridurre le dimensioni dell'antenna.

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