I dispositivi SiC, insieme all'ampia gamma di microcontrollori e soluzioni analogiche di Microchip, entrano a far parte della crescente famiglia di prodotti SiC affidabili. Questi prodotti rispondono all'esigenza di migliorare l'efficienza, la robustezza e la densità di potenza dei sistemi nei veicoli elettrici e in altre applicazioni ad alta potenza nei settori industriale, aerospaziale e della difesa.
I MOSFET SiC da 700 V e i diodi Schottky a barriera SiC da 700 V e 1200 V di Microchip si aggiungono al suo portafoglio esistente di moduli di potenza SiC. Gli oltre 35 prodotti discreti aggiunti al portafoglio di Microchip sono disponibili in grandi quantità e sono supportati da un'ampia gamma di servizi di sviluppo, strumenti e progetti di riferimento, nonché da un'eccezionale robustezza dimostrata da rigorosi test. L'ampia famiglia di chip a semiconduttore, componenti discreti e moduli di potenza SiC è disponibile in diverse tensioni e correnti nominali e tipologie di package.
I MOSFET e i diodi a barriera Schottky in SiC di Microchip offrono una commutazione più efficiente alle alte frequenze e superano i test di robustezza a livelli considerati critici per garantire l'affidabilità a lungo termine. I diodi a barriera Schottky in SiC dell'azienda migliorano le prestazioni di circa il 20% rispetto ad altri diodi in SiC nei test di robustezza Unclamped Inductive Switching (UIS), che misurano la resistenza dei dispositivi al degrado o al guasto prematuro in caso di sovratensioni a valanga, che si verificano quando un picco di tensione supera la tensione di rottura del dispositivo.
