I MOSFET (tecnologia ThunderFET® Power MOSFET) si distinguono per la bassa resistenza di conduzione (1,93 mΩ) e la bassa capacità di gate (250 nC), con una versione da 150 V a 400 A e un'altra da 200 V a 273 A. I raddrizzatori si caratterizzano per la tensione di esercizio (1200 V), con una versione da 160 A e un'altra fino a 220 A, la bassa resistenza termica (0,26 °C/W) e una caduta di tensione di conduzione di soli 1,22 V. All'interno della famiglia Ultrafast (diodi FRED Pt®), si aggiungono un modulo a doppia topologia da 300 V a 280 A e un modulo raddrizzatore a ponte monofase da 650 V a 60 A; questi presentano un tempo di recupero di 58 ns e funzionalità di soft recovery per ridurre le interferenze elettromagnetiche (EMI) e radiofrequenza (RFI). Infine, la famiglia di moduli di potenza Schottkies (diodo TMBS®) si arricchisce di un nuovo modello a doppia topologia, con una corrente nominale di 300 A e una tensione nominale di 170 V. Tutti i moduli possono sopportare temperature di esercizio fino a 175 °C. Applicazioni di mercato:
• Convertitori CC/CC ad alte prestazioni, caricabatterie, azionamenti per motori CA e sistemi UPS.
• Applicazioni OR in caricabatterie per veicoli elettrici e ponti raddrizzatori per reti monofase o trifase.
• Inverter ad alta frequenza per apparecchiature di saldatura, sistemi UPS e raddrizzatori di uscita per stazioni di ricarica e alimentatori switching.
• Alimentatori switching ad alta frequenza e apparecchiature per il taglio al plasma.
Sono disponibili modelli di produzione e campioni.

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