Basati sulla tecnologia proprietaria Trench PT IGBT di Vishay, i modelli VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP250SA60S, VS-GP300TD60S e VS-GP400TD60S offrono tensioni collettore-emettitore estremamente basse, fino a 1,10 V, e un consumo di potenza di commutazione in stato di spegnimento di 11 mJ per gli stadi inverter di uscita.
Grazie alla loro architettura Trench PT IGBT, questi dispositivi Vishay Semiconductors raggiungono dimensioni inferiori rispetto agli IGBT planari, offrendo ai progettisti una maggiore densità di corrente e una minore resistenza termica (giunzione-involucro) senza compromettere le prestazioni. La bassa tensione collettore-emettitore consente perdite di conduzione estremamente ridotte, mentre il consumo di potenza di commutazione in stato di spegnimento è inferiore del 50% rispetto ai dispositivi di generazione precedente, aumentando l'efficienza e l'affidabilità a lungo termine.
I transistor IGBT a semiponte VS-GP100TS60SFPbF, VS-GP300TD60S e VS-GP400TD60S combinano IGBT Trench PT con diodi antiparalleli HEXFRED® e diodi FRED PT® in un singolo package INT-A-PAK e in un doppio package INT-A-PAK con un profilo molto basso di 17 mm. Il modulo a singolo interruttore VS-GP250SA60S è dotato di un package SOT-227, che offre un'induttanza parassita molto bassa di ≤ 5 nH tipica ed è approvato UL E78996.
I moduli conformi alla direttiva RoHS presentano frequenze operative fino a 1 kHz, tensioni collettore-emettitore di 600 V e correnti di collettore continue da 100 A a 400 A. I dispositivi possono essere montati direttamente sui dissipatori di calore e offrono basse emissioni elettromagnetiche (EMI).

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