Tra le principali applicazioni di questi moduli ad alta densità di potenza si annoverano azionamenti industriali e apparecchiature di controllo motori, inverter per impianti di generazione di energia rinnovabile e convertitori/inverter necessari per le infrastrutture ferroviarie elettriche.
Un elemento chiave per il raggiungimento dei parametri prestazionali dei nuovi moduli MOSFET SiC di Toshiba è la tecnologia di packaging proprietaria dell'azienda. I package iXPLV (intelligent flexible package low voltage) utilizzati in questi moduli si basano su una tecnologia avanzata di connessione interna con sinterizzazione d'argento che consente elevati livelli di efficienza operativa. Supportano temperature del canale fino a 175 °C e garantiscono un isolamento fino a 6000 VRMS. Le perdite di commutazione in conduzione e interdizione si mantengono rispettivamente a 250 mJ e 240 mJ, mentre il valore tipico dell'induttanza parassita è di soli 12 nH.
Maggiori informazioni o un preventivo
