Negli ultimi anni, grazie ai suoi vantaggi in termini di risparmio energetico, il SiC viene sempre più utilizzato in applicazioni a 1200 V, come veicoli elettrici e apparecchiature industriali. La tendenza verso una maggiore densità di potenza si traduce in tensioni di sistema più elevate e, di conseguenza, in una maggiore domanda di prodotti a 1700 V. Tuttavia, la sfida consiste nel raggiungere l'affidabilità richiesta, motivo per cui gli IGBT al silicio rimangono la scelta preferita per le applicazioni a 1700 V.
In risposta a questa esigenza, ROHM ha raggiunto un'elevata affidabilità nei dispositivi da 1700 V, mantenendo al contempo le basse perdite dei 
suoi apprezzati prodotti da 1200 V, e ha realizzato la prima commercializzazione di successo di moduli di potenza da 1700 V basati su SiC. Il BSM250D17P2E004 utilizza metodi costruttivi e materiali di rivestimento innovativi per prevenire la rottura dielettrica e sopprimere l'aumento della corrente di dispersione. Di conseguenza, si ottiene un'elevata affidabilità, che previene la rottura dielettrica anche dopo 1000 ore di test di polarizzazione ad alta temperatura e umidità (HV-H3TRB). Ciò garantisce una tensione di blocco fino a 1700 V, anche in ambienti con temperature e umidità estreme.
Grazie all'integrazione dei noti MOSFET a base di SiC e dei diodi a barriera Schottky di ROHM nello stesso modulo e all'ottimizzazione della struttura interna, la resistenza di conduzione viene ridotta del 10% rispetto ad altri prodotti SiC della stessa categoria. Ciò si traduce in un maggiore risparmio energetico in qualsiasi applicazione.
In futuro, continueremo ad ampliare la nostra gamma per garantire un utilizzo senza problemi da parte dei clienti e ci impegneremo ad aumentare la domanda offrendo schede di valutazione che consentano di testare e verificare facilmente i nostri moduli SiC.
Caratteristiche principali
1. Raggiunge il massimo livello di affidabilità in ambienti ad alta temperatura e umidità.
Questo innovativo modulo da 1700 V introduce un nuovo metodo di incapsulamento e materiali di rivestimento per proteggere il chip, consentendoci di realizzare la prima commercializzazione di successo di un modulo SiC da 1700 V, che ha superato i test di affidabilità HV-H3TRB.
Ad esempio, durante i test ad alta temperatura e umidità, il BSM250D17P2E004 ha dimostrato un'affidabilità superiore senza guasti, anche con l'applicazione di 1360 V per oltre 1000 ore a 85 °C e 85% di umidità, a differenza dei moduli IGBT convenzionali, che in genere si guastano in meno di 1000 ore a causa della rottura dielettrica. Per garantire il massimo livello di affidabilità, ROHM ha testato la corrente di dispersione dei moduli a intervalli diversi con il livello di tensione di blocco più elevato di 1700 V.
2. Una maggiore resistenza di conduzione contribuisce a un maggiore risparmio energetico.
La combinazione di diodi a barriera Schottky in SiC (di ROHM) e MOSFET all'interno dello stesso modulo consente una riduzione del 10% della resistenza di conduzione rispetto ad altri prodotti della stessa categoria, contribuendo a un maggiore risparmio energetico.
Terminologia
relativa alla corrente di dispersione
: si riferisce alla piccola quantità di corrente che fuoriesce dal livello di isolamento di un dispositivo di potenza. La soppressione della corrente di dispersione previene danni al dispositivo e un aumento del consumo energetico.
Test di polarizzazione inversa ad alta tensione con elevata umidità e temperatura (HV-H3TRB)
Questo test valuta la durabilità di un dispositivo di potenza quando utilizzato in ambienti ad alta temperatura e umidità. È progettato per rilevare guasti come la rottura dielettrica causata da un aumento della corrente di dispersione dell'isolamento dovuto al campo elettrico e all'umidità.
