Grazie alle capacità dell'intera catena di fornitura e alle avanzate competenze di incapsulamento degli stabilimenti Rohm, il modulo SiC Half-Bridge integra MOSFET SiC a trincea e SBD SiC prodotti in serie nello stesso spazio dei moduli precedenti.
ROHM è stata pioniera nello sviluppo di moduli di potenza commerciali dotati di MOSFET SiC e SBD SiC, e ha prodotto in serie con successo il primo MOSFET a trincea del settore utilizzando una struttura proprietaria, garantendo un'affidabilità a lungo termine. Il nuovo modulo implementa MOSFET con la sua avanzata struttura UMOS, eliminando la regione JFET e massimizzando le caratteristiche del SiC. Offre la più bassa resistenza drain-source insieme a prestazioni di commutazione ad alta velocità e, grazie alla bassissima Vf e alle rapide prestazioni di recupero degli SBD SiC integrati, non presenta praticamente alcuna perdita di recupero Err.
Di conseguenza, il modulo di commutazione raggiunge perdite inferiori del 77% rispetto ai moduli IGBT convenzionali e perdite di commutazione inferiori del 42% rispetto ai moduli SiC planari che utilizzano una struttura DMOS-SiC di seconda generazione. Ciò non solo consente un funzionamento ad alta frequenza, ma contribuisce anche a sistemi di raffreddamento e componenti periferici più piccoli, aprendo la strada a un maggiore risparmio energetico e alla miniaturizzazione del prodotto finale.
Il nuovo modulo SiC è ora disponibile.
