Le applicazioni target includono EPS, convertitori DC-DC e interruttori di carico.
Ogni dispositivo è dotato di un chip che utilizza il processo U-MOSVIII-H in un package TO-220SM(W) con la sua resistenza di package ridotta al limite grazie a un nuovo connettore interno in rame. Ciò si traduce in una resistenza di conduzione leader del settore misurata a VGS ₍ on
_{= 10V. RDS(on) = 0,78 mΩ (tipico) per il TK200F04N1L e RDS} ( tipico) per il TK160F10N1.
) = _{2,0 mΩ}
Entrambi i dispositivi vantano una bassa resistenza termica di Rth ₍ ch-c) = 0,4 °C/W (max) e un rapporto di temperatura del canale massimo di 175 °C.
Questi nuovi MOSFET offrono la massima efficienza e la minima generazione di calore. Inoltre, l'U-MOSVIII-H ha migliorato le capacità di soppressione del ripple di commutazione rispetto alla generazione precedente. Ciò può contribuire alla riduzione del rumore EMI nelle applicazioni.
I modelli TK160F10N1 e TK200F04N1L soddisferanno i requisiti di qualificazione automobilistica AEC-Q101.

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