Toshiba Electronics Europe si appresta ad annunciare lo sviluppo della sua prossima generazione di tecnologia a semiconduttore a supergiunzione a trincea profonda (SJ) per MOSFET di potenza ad alta efficienza.I dispositivi basati sul nuovo processo DTMOS V operano con un rumore EMI inferiore e una resistenza di conduzione (RDS(ON)) ridotta, rispetto ai precedenti MOSFET DTMOS IV.
Analogamente alla precedente tecnologia a semiconduttore DTMOS IV, la DTMOS V si basa su un processo epitassiale unico che prevede un processo di incisione profonda a trincea seguito da una crescita epitassiale di tipo P. Il processo di incisione profonda a trincea si traduce in passi delle celle più stretti e valori di RDS(ON) inferiori rispetto ai processi planari più convenzionali. Il processo di incisione profonda a trincea di Toshiba consente di ottenere coefficienti termici RDS(ON) migliorati per i MOSFET rispetto ai MOSFET a supergiunzione convenzionali che utilizzano il processo di crescita epitassiale multipla.
Grazie alla tecnologia DTMOS V, Toshiba è riuscita a ridurre la resistenza RDS(ON) del DPAK TK290P60Y fino al 17% rispetto alla minore resistenza RDS(ON) offerta dal MOSFET DTMOS IV TK12P60W. L'azienda ha inoltre ulteriormente ottimizzato il compromesso tra prestazioni di commutazione e rumore EMI.
I MOSFET DTMOS V semplificheranno la progettazione e miglioreranno le prestazioni nelle applicazioni di conversione di potenza, inclusi gli alimentatori switching, i sistemi di correzione del fattore di potenza (PFC), l'illuminazione a LED e altre applicazioni AC/DC. I primi MOSFET basati sul processo di quinta generazione offriranno tensioni di 600 V e 650 V e saranno disponibili nei package DPAK (TO-252) e TO-220SIS (isolamento intelligente). I valori massimi di resistenza di conduzione (ON resistance) saranno compresi tra 0,29 Ω e 0,56 Ω.
