ROHM sta attualmente producendo in serie i primi MOSFET SiC a struttura a trincea sul mercato. La nuova generazione di MOSFET SiC di ROHM riduce la resistenza di conduzione del 50% sull'intero intervallo di temperatura e la capacità di ingresso del 35% per un chip di pari dimensioni rispetto ai MOSFET SiC a gate piatto. Le loro prestazioni ottimali sono ottenute combinando basse perdite con un'elevata velocità di commutazione. Ciò riduce le dimensioni dei componenti periferici come induttori e condensatori grazie alla maggiore frequenza di commutazione. Di conseguenza, l'efficienza di conversione risulta migliorata, contribuendo alla miniaturizzazione, alla riduzione del peso e a una maggiore efficienza energetica. I nuovi MOSFET SiC della serie SCT3080KL da 1200 V in package TO-247 ne sono un perfetto esempio.
ROHM offrirà anche MOSFET SiC con approvazione AECQ basati sulla serie planare di seconda generazione.
Diodi Schottky SiC di terza generazione:
La terza generazione di diodi Schottky SiC raggiunge la tensione diretta (VF) e la corrente di dispersione inversa (IR) più basse su tutto l'intervallo di temperatura tra tutti i diodi Schottky SiC attualmente disponibili. Sono inoltre caratterizzati dalla capacità di gestire elevate sovracorrenti, il che li rende ideali per applicazioni di alimentazione. Oltre ai dispositivi TO220AC da 650 V/6, 8 e 10 A recentemente annunciati, ROHM aggiungerà a questa famiglia i dispositivi D2PAK e TO220FM, che offrono anche opzioni di corrente inferiori di 2 A e 4 A.
I diodi SiC offrono un tempo di recupero inverso estremamente breve rispetto ai dispositivi a base di silicio, il che li rende ideali per la commutazione ad alta velocità.
Nel complesso, queste caratteristiche contribuiscono al trend in corso di maggiore efficienza, densità di potenza e robustezza nei progetti.
SiC
, inclusi i moduli chopper per convertitori, integrano MOSFET SiC a trench e diodi Schottky SiC prodotti in serie. Oltre ai moduli 2-in-1, sono disponibili moduli chopper da 1200 V/120 A, 180 A e 300 A per soddisfare le esigenze del mercato. ROHM sta inoltre lavorando a un nuovo modulo di potenza con induttanza parassita inferiore.
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