Il nuovo dispositivo è adatto a una vasta gamma di applicazioni, come gli alimentatori switching in apparecchiature industriali, comprese le applicazioni nelle stazioni base di comunicazione e nei data center.

Il nuovo MOSFET TPH9R00CQH ha una resistenza di accensione drain-source (RDS(ON)) molto bassa di soli 9,0 mΩ (max. a VGS=10V). Ciò rappresenta una riduzione di circa il 42% rispetto al prodotto da 150V esistente (TPH1500CNH), basato sul processo U-MOSVIII-H di ultima generazione. I principali parametri di merito (FoM), tra cui RDS(ON) x QSW e RDS(ON) x QOSS, sono stati ridotti rispettivamente di circa il 20% e il 28%, migliorando così le prestazioni.

Le caratteristiche di carico sono state migliorate grazie a un'attenta ottimizzazione della struttura del dispositivo. Con una carica di gate totale (Qg) di soli 44 nC e una carica di commutazione del gate (QSW) di 11,7 nC, il dispositivo offre prestazioni eccellenti, soprattutto nelle applicazioni ad alta velocità.

Il nuovo TPH9R00CQH offre due opzioni di package per dispositivi a montaggio superficiale (SMD): SOP Advance (5,0 mm x 6,0 mm) e SOP Advance(N) (4,9 mm x 6,1 mm), che possono essere selezionate per soddisfare le esigenze di qualsiasi applicazione.

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