Questo prodotto, il primo SFPMOS™ (Shielded Field-Plated Mesh MOSFET™), presenta una resistenza nominale di conduzione Rds(on) di soli 4 mOhm a una tensione di gate U_GS = 1V. La tensione di rottura U_BR è di 40V. Al di sotto di questa soglia, le correnti di dispersione su un ampio intervallo di temperature sono estremamente basse. A una temperatura di esercizio di 25°C, sono ben al di sotto di 1 microampere e raggiungono solo 1 mA a 150°C. Pertanto, gli SFPMOS™ sono particolarmente adatti per l'utilizzo in dispositivi mobili o in applicazioni in cui è importante una lunga durata della batteria.
La serie SFPMOS™ è composta da transistor di potenza con tensioni di rottura da 8V a 200V. Sono disponibili in diversi package, tra cui SC-75/SOT-416, PQFN 3x3 e PQFN 5x6.
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- Categoria: Circuiti integrati
MOSFET per applicazioni a bassa tensione
MaxPower presenta una serie innovativa di transistor di potenza a livello sublogico. I MOSFET in grado di gestire in modo affidabile correnti elevate a tensioni di soglia estremamente basse sono rari. MaxPower Semiconductor Inc., produttore di semiconduttori di potenza innovativi e partner strategico di Finepower, ha sviluppato una nuova famiglia di transistor di potenza che commutano anche a livello sublogico.
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