I nuovi dispositivi offrono una bassa resistenza alla guida (RDS(on)) per applicazioni con carichi elevati, tra cui servosterzo (EPS), sistemi frenanti e altri carichi elevati in veicoli dotati di motori a combustione interna (ICE) e microibridi.
La famiglia di 22 nuovi MOSFET a canale N da 40 V, approvati AEC-Q101, incorpora la tecnologia a trench Gen12.7, offrendo una resistenza RDS(on) estremamente bassa nei package D2Pak-7P, D2Pak, DPak, TO-262, IPAK e TO-220. Il modello AUIRFS8409-7P, in package D2Pak-7P, vanta una resistenza RDS(on) massima di soli 0,75 mΩ a 10 Vgs, con una corrente nominale fino a 240 A. Questi nuovi dispositivi offrono basse perdite di conduzione ed eccellenti prestazioni in valanga, garantendo maggiore efficienza, densità di potenza e affidabilità. Grazie a queste caratteristiche, molte applicazioni che utilizzano questi nuovi dispositivi COOLiRFET™ operano a temperature inferiori rispetto ai MOSFET più avanzati.
IR si propone di promuovere la qualità nel settore automobilistico con l'obiettivo di raggiungere zero difetti. Questo risultato viene raggiunto attraverso test dinamici e statici nell'ambito del Part Average Testing, nonché tramite un'ispezione visiva automatizzata a livello di wafer del 100% dei componenti. I nuovi dispositivi sono certificati secondo lo standard AEC-Q101, che richiede una variazione non superiore al 20% del valore RDS(on) dopo 1.000 cicli di temperatura durante i test. Inoltre, sono ecocompatibili e presentano un elenco di materiali senza piombo, conformi alla normativa RoHS.
