Gli ASFET rappresentano una nuova classe di MOSFET ottimizzati per l'utilizzo in specifici scenari di progettazione. Concentrandosi sui parametri critici per l'applicazione, talvolta a scapito di altri parametri meno importanti nello stesso progetto, è possibile raggiungere nuovi livelli di prestazioni. I nuovi ASFET hot-swappable utilizzano una combinazione della più recente tecnologia al silicio di Nexperia e della costruzione del package con clip in rame per aumentare significativamente l'area operativa sicura (SOA) e ridurre al minimo l'ingombro sul PCB.

In precedenza, i MOSFET soffrivano dell'effetto Spirito, per cui le prestazioni SOA diminuivano rapidamente a causa dell'instabilità termica a tensioni più elevate. La robusta tecnologia SOA avanzata di Nexperia elimina l'effetto Spirito, aumentando le prestazioni SOA del 166% a 50 V rispetto alle generazioni precedenti in D2PAK.

Un altro importante progresso è l'inclusione della specifica SOA a 125 °C nella scheda tecnica. Secondo Mike Becker, Direttore Internazionale del Marketing di Prodotto di Nexperia: "Tradizionalmente, la SOA viene specificata solo a 25 °C, il che significa che i progettisti devono ridurre la potenza per il funzionamento in ambienti caldi. I nostri nuovi ASFET a scambio caldo includono una specifica SOA a 125 °C, eliminando questa operazione dispendiosa in termini di tempo e confermando le eccellenti prestazioni di Nexperia anche a temperature elevate."

I nuovi ASFET hot-swap PSMN4R2-80YSE (80 V, 4,2 mΩ) e PSMN4R8-100YSE (100 V, 4,8 mΩ) sono disponibili nel package LFPAK56E conforme allo standard Power-SO8. L'esclusiva struttura interna con morsetti in rame del package migliora le prestazioni termiche ed elettriche, riducendo al contempo in modo sostanziale l'ingombro. I nuovi prodotti LFPAK56E misurano solo 5 mm x 6 mm x 1,1 mm, con una riduzione dell'80% e del 75% rispettivamente nell'ingombro sul PCB e nell'altezza del dispositivo, rispetto ai D2PAK di precedente generazione. I dispositivi presentano inoltre una temperatura di giunzione massima di 175 °C, conforme agli standard IPC9592 per applicazioni industriali e di telecomunicazione.

Becker aggiunge: "Un altro vantaggio è la migliore ripartizione della corrente nelle applicazioni ad alta potenza che richiedono più MOSFET hot-swap in parallelo, il che aumenta l'affidabilità e riduce i costi di sistema." Nexperia è ampiamente riconosciuta come leader di mercato nei MOSFET hot-swap. Con questi ultimi ASFET, abbiamo alzato ancora una volta l'asticella."

I nuovi ASFET a scambio caldo sono i dispositivi più recenti prodotti nel nuovo stabilimento di produzione di wafer da 8 pollici di Nexperia a Manchester, nel Regno Unito, con capacità produttiva pronta a soddisfare ordini di grandi volumi.

Maggiori informazioni, incluse specifiche del prodotto e schede tecniche

Potrete inoltre vedere questa nuova tecnologia in azione all'evento Power Live di Nexperia, che si terrà dal 21 al 23 settembre.