Inoltre, i nuovi dispositivi offrono prestazioni migliorate sia in modalità Avalanche che Lineare, con conseguente maggiore robustezza e affidabilità.
Neil Massey, Product Marketing Manager di Nexperia, commenta: "I nuovi MOSFET LFPAK88 da 8 x 8 mm combinano la più recente tecnologia al silicio supergiunzione ad alte prestazioni con la nostra collaudata tecnologia a clip in rame LFPAK, nota per offrire significativi vantaggi in termini di prestazioni elettriche e termiche. Il basso valore di RDS che ne deriva ci consente di integrare più silicio nel package, migliorando la densità di potenza e riducendo l'ingombro del dispositivo."
Con dimensioni di soli 8 x 8 x 1,7 mm, i nuovi MOSFET di potenza presentano anche caratteristiche di modalità Lineare/Safe Operating Area (SOA) leader di categoria per una commutazione sicura e affidabile in condizioni di corrente elevata. La SOA in condizioni operative di 1 ms e 20 VDS è di 35 A grazie alla combinazione di silicio e package, mentre a 10 ms e 20 VDS, dove il package è predominante, la SOA è di 17 A. Questi valori sono da 1,5 a 2 volte migliori rispetto a quelli della concorrenza. I dispositivi offrono anche il miglior valore di valanga a impulso singolo (EAS) di 2,3 J e un valore di corrente ID molto elevato di 500 A, che, a differenza di alcuni dispositivi concorrenti, è un limite misurato e non teorico.
I vantaggi in termini di dimensioni e prestazioni offerti dai MOSFET LFPAK88 da 8 x 8 mm di Nexperia consentono ai progettisti di sostituire due componenti più vecchi in parallelo con un singolo LFPAK88, semplificando la produzione e aumentando l'affidabilità. I componenti BUK7S0R5-40H con classificazione AEC-Q101, che offrono un'affidabilità più che doppia rispetto allo standard automobilistico, sono adatti per applicazioni di frenatura, servosterzo, protezione della batteria contro l'inversione di polarità, fusibili elettronici, convertitori DC-DC e controllo motori. I MOSFET industriali PSMNR55-40SSH sono adatti per applicazioni di isolamento della batteria, limitazione di corrente, fusibili elettronici, controllo motori, rettifica sincrona e commutazione di carico in utensili elettrici, elettrodomestici, ventilatori, biciclette elettriche, scooter e sedie a rotelle.
- Dettagli
- Categoria: Circuiti integrati
MOSFET Nexperia da 40 V a bassa RDS(on) con la massima densità di potenza per applicazioni industriali e automobilistiche
Nexperia ha annunciato oggi nuovi MOSFET di potenza a 40 V con RDS (on) di 0,55 mΩ nel package LFPAK88, altamente affidabile, per applicazioni automotive (BUK7S0R5-40H) e industriali (PSMNR55-40SSH). Questi dispositivi rappresentano i componenti a 40 V con il valore di RDS (on) più basso mai prodotti da Nexperia e, soprattutto, offrono densità di potenza superiori di oltre 50 volte rispetto ai tradizionali dispositivi D2PAK.
Rivista cartacea
Prezzo dell'abbonamento annuale:
Riceverai tutte le 10 edizioni pubblicate ogni anno.
reti sociali
Notizie popolari Elettronica
📱 Per installare l'app:
tocca Condividi → Aggiungi alla schermata iniziale
tocca Condividi → Aggiungi alla schermata iniziale
Rivista spagnola di elettronica. Pubblicata da oltre 25 anni.
Spagna - Madrid - Tutti i diritti riservati © Convertronic Professional Spanish Electronics Magazine.
