Negli ultimi anni, la crescente tendenza al risparmio energetico in tutti i settori ha incrementato la domanda di semiconduttori di potenza ad alta efficienza, in particolare per applicazioni industriali come inverter generici e apparecchiature di produzione. La maggior parte degli alimentatori ausiliari, che forniscono tensioni di pilotaggio ai circuiti di alimentazione, ai circuiti integrati di controllo e a vari sistemi complementari, utilizza MOSFET al silicio con un'elevata tensione di rottura (oltre 1000 V). Tuttavia, questi MOSFET ad alta tensione presentano significative perdite di conduzione (che spesso generano calore eccessivo) e comportano problematiche legate ai requisiti di superficie e al numero di componenti esterni, ostacolando la miniaturizzazione del sistema. In risposta a queste esigenze, ROHM ha sviluppato MOSFET e circuiti integrati di controllo in SiC a basse perdite che massimizzano le prestazioni e contribuiscono alla miniaturizzazione del prodotto finale.
Il MOSFET SCT2H12NZ offre l'elevata tensione di rottura richiesta dagli alimentatori ausiliari nelle apparecchiature industriali. Le perdite di conduzione sono ridotte di un fattore 8 rispetto ai MOSFET al silicio convenzionali, aumentando così l'efficienza energetica. Inoltre, se abbinato al circuito integrato di controllo del convertitore AC/DC appositamente progettato da ROHM per pilotare i MOSFET SiC (BD7682FJ-LB), le prestazioni possono essere massimizzate e l'efficienza migliorata fino al 6%. Ciò consente l'utilizzo di componenti periferici più piccoli, favorendo ulteriormente la miniaturizzazione.
Caratteristiche principali
1. Ottimizzato per alimentatori ausiliari in apparecchiature industriali
Rispetto ai MOSFET al silicio da 1500 V utilizzati negli alimentatori ausiliari per apparecchiature industriali, l'SCT2H12NZ offre una tensione di rottura più elevata (1700 V) con una resistenza di conduzione 8 volte inferiore (1,15 Ω). Inoltre, il suo package compatto TO-3PFM mantiene la distanza di dispersione superficiale (distanza misurata lungo la superficie del materiale isolante) richiesta dalle apparecchiature industriali. ROHM offre anche una versione a montaggio superficiale (TO268-2L) che fornisce la distanza di dispersione superficiale appropriata.
2. Maggiore efficienza se abbinato al circuito integrato dedicato di ROHM.
L'utilizzo di questo nuovo MOSFET SiC in combinazione con il circuito integrato di controllo del convertitore AC/DC di ROHM (BD7682FJ-LB), specificamente progettato per i driver con MOSFET SiC, massimizzerà le prestazioni e aumenterà l'efficienza fino al 6%. Si ridurrà inoltre la generazione di calore, minimizzando le contromisure termiche e consentendo l'utilizzo di componenti più piccoli.
3. Valutazione semplificata con la scheda di valutazione ROHM per dispositivi SiC.
In qualità di produttore di semiconduttori a 360 gradi, ROHM offre una vasta gamma di circuiti integrati ottimizzati per diversi dispositivi SiC. ROHM mette inoltre a disposizione schede e kit di valutazione che consentono una valutazione e uno sviluppo immediati. Oltre al BD7682FJ-LB-EVK-402, sono disponibili una scheda di pilotaggio del gate per la valutazione del modulo SiC completo di ROHM, nonché un modulo di smorzamento. Ulteriori informazioni sono disponibili sulla pagina di supporto dedicata di ROHM.
Applicazioni:
Alimentatori ausiliari per apparecchiature industriali ad alta tensione (400 V CA) come automazione industriale (robot), inverter solari e industriali e dispositivi di produzione/collaudo.
