Il nuovo rapporto tecnico illustra in dettaglio i vantaggi prestazionali dei transistor HEMT PowiGaN da 1250 V di Power Integrations, leader del settore, evidenziandone la comprovata affidabilità sul campo e la capacità di soddisfare i requisiti di densità di potenza ed efficienza (>98%) dell'architettura a 800 V CC. Inoltre, il documento dimostra che un singolo interruttore PowiGaN da 1250 V offre una maggiore densità di potenza ed efficienza rispetto ai transistor GaN FET impilati da 650 V e ai dispositivi SiC da 1200 V della concorrenza.
Il rapporto tecnico evidenzia inoltre i circuiti integrati InnoMux™2-EP di Power Integrations come soluzione unica per gli alimentatori ausiliari nei data center a 800 V CC. L'interruttore PowiGaN da 1700 V integrato nel dispositivo InnoMux-2 supporta una tensione di ingresso di 1000 V CC, mentre il suo funzionamento SR ZVS offre un'efficienza superiore al 90,3% del sistema a 12 V in un'architettura a 800 V CC con raffreddamento a liquido e senza ventole.
“Con il crescente fabbisogno energetico dell'IA, il passaggio a un ingresso a 800 V CC semplifica la progettazione dei rack, ottimizza l'utilizzo dello spazio e riduce il consumo di rame”, afferma Roland Saint-Pierre, vicepresidente dello sviluppo prodotti di Power Integrations. “Considerando il crescente fabbisogno energetico dei rack, riteniamo che i dispositivi PowiGaN a 1250 V e 1700 V siano la scelta ideale per gli alimentatori primari e ausiliari, in quanto offrono l'efficienza, l'affidabilità e la densità di potenza richieste nei data center a 800 V CC.”.
Power Integrations, l'unico fornitore di interruttori GaN ad alta tensione da 1250 V e 1700 V prodotti in serie, ha introdotto i suoi primi circuiti integrati GaN nel 2018 e attualmente conta oltre 175 milioni di interruttori GaN in uso in prodotti finali che spaziano dai caricabatterie rapidi ai data center e ai veicoli elettrici.
