I transistor FET SiC UF4C/SC di Mouser Electronics offrono ai progettisti una varietà di opzioni di resistenza di conduzione e di package. Questi FET SiC da 1200 V sono disponibili con resistenze di conduzione (RDS(on)) che vanno da 23 a 70 mΩ e in un package TO-247-3L a tre terminali o in un package TO-247-4L a quattro terminali. Il package TO-247-4L incorpora un gate Kelvin per fornire una carica di gate estremamente bassa ed eccezionali caratteristiche di recupero inverso, consentendo ai progettisti di commutare carichi induttivi e qualsiasi applicazione che richieda un pilotaggio del gate standard.
Tutti i dispositivi della famiglia UF4C/SC possono essere pilotati in sicurezza con una tensione di gate standard da 0 a 12 o 15 V, risultando quindi adatti a sostituire IGBT, FET o dispositivi a supergiunzione di silicio senza alterare la tensione di gate. Altre caratteristiche degne di nota dei FET SiC UF4C/SC includono un eccezionale margine di rumore di soglia, mantenuto con una tensione di soglia reale di 5 V, un eccellente recupero inverso e un morsetto di protezione ESD integrato per il gate.
