Questi raddrizzatori SiGe da 1-3 A, destinati ai settori automobilistico, delle infrastrutture di comunicazione e dei server, sono particolarmente vantaggiosi per applicazioni ad alta temperatura come l'illuminazione a LED, le centraline di controllo motore e i sistemi di iniezione del carburante. I progettisti che utilizzano i nuovi dispositivi a bassissima corrente di dispersione possono ora contare su un intervallo operativo più ampio senza instabilità termica fino a 175 °C, ottimizzando al contempo i progetti per ottenere maggiore efficienza, cosa non possibile con i diodi a recupero rapido tipicamente utilizzati in tali applicazioni ad alta temperatura. Grazie alla loro maggiore tensione diretta (Vf) e al basso Qrr, i raddrizzatori SiGe offrono il vantaggio di ridurre le perdite di conduzione dal 10% al 20%.

Queste sono alcune delle caratteristiche principali dei raddrizzatori SiGe di Nexperia:

• Eccellente efficienza
o corrente inversa (IR) ridotta rispetto ai diodi Schottky e tensione diretta (Vf) inferiore rispetto ai raddrizzatori a recupero rapido per basse perdite di potenza
o commutazione rapida e fluida, stabilità termica fino a 175 °C Tj, corrente di dispersione estremamente bassa < 1 nA, bassa tensione diretta e basso Qrr
• Area operativa sicura estesa
o funzionamento sicuro a temperature elevate
o funzionamento stabile alla massima tensione inversa
• Contenitore CFP (clip bonded FlatPower) avanzato
o Nei robusti contenitori CFP3 e CFP5 standard del settore, la gamma di raddrizzatori SiGe offre una minore resistenza del contenitore per prestazioni elettriche migliorate
o una clip di contatto in rame solido per aumentare le prestazioni termiche e la dissipazione di potenza
o semplice sostituzione pin-to-pin con diodi Schottky e a recupero rapido
o induttanza del contenitore ridotta per un comportamento di commutazione migliorato e una minore capacità parassita nel circuito

L'integrazione dell'innovativa tecnologia SiGe di Nexperia nei loro progetti offre agli ingegneri opzioni senza precedenti per lo sviluppo di circuiti di potenza di alta qualità e la realizzazione di nuovi prodotti leader di mercato. I dispositivi SiGe completano il portfolio di diodi di potenza di Nexperia, che comprende oltre 100 diodi Schottky e raddrizzatori a recupero rapido in package CFP. Farnell ha a magazzino 12 diversi prodotti del portfolio di raddrizzatori SiGe di Nexperia. I raddrizzatori conformi allo standard AEC-Q101 sono disponibili con opzioni di tensione inversa ripetitiva massima (Vrrm) di 120 V, 150 V e 200 V e opzioni di corrente IF (AV) diretta di 1, 2 o 3 A.

Lee Turner, responsabile globale dei semiconduttori e del Single Board Computing presso Farnell, commenta: "Nexperia è un'azienda esperta nella produzione in serie di prodotti semiconduttori essenziali e siamo lieti di ampliare la nostra gamma di raddrizzatori SiGe ora disponibili a magazzino. I progettisti sono costantemente sotto pressione per ottenere prestazioni migliori in un ingombro ridotto e le nuove applicazioni richiedono la massima efficienza di sistema e la massima miniaturizzazione. È fondamentale fornire ai clienti soluzioni leader di mercato che offrano la migliore efficienza della categoria, facilità di progettazione termica e un fattore di forma ridotto per supportare applicazioni critiche nei mercati automobilistico, dei server e delle telecomunicazioni.".

L'ampio catalogo prodotti di Nexperia comprende diodi, transistor bipolari, dispositivi di protezione ESD, MOSFET e FET GaN, nonché circuiti integrati analogici e logici. Con sede nei Paesi Bassi, Nexperia vende oltre 90 miliardi di prodotti all'anno che soddisfano gli elevati standard dell'industria automobilistica. Questi prodotti di alta qualità sono considerati punti di riferimento per la loro efficienza (in termini di processo produttivo, dimensioni, consumo energetico e prestazioni) grazie a package di dimensioni ridotte leader del settore che offrono un notevole risparmio in termini di consumo energetico e spazio.

I raddrizzatori SiGe di Nexperia sono ora disponibili in Europa tramite Farnell .