I circuiti integrati di commutazione RF, fabbricati utilizzando il nuovo processo TaRF8 come nuovo processo SP12T [1] , raggiungono la più bassa perdita di inserzione [2] nella loro classe [3] nel settore. Le spedizioni di campioni di circuiti integrati di commutazione RF SP12T fabbricati con il nuovo processo inizieranno a gennaio 2016.
Progettato per l'uso negli smartphone, il circuito integrato di commutazione RF SP12T è dotato di un controller MIPI-RFFE integrato [4] per applicazioni mobili. Il dispositivo è adatto per l'uso in dispositivi conformi agli standard 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE e LTE-Advanced [5].
I prodotti che utilizzano il nuovo processo front-end TaRF8 SOI CMOS [6] raggiungono la perdita di inserzione più bassa della loro categoria nel settore, pari a 0,32 dB a 2,7 GHz. Rispetto ai prodotti che utilizzano l'attuale processo TaRF6 di Toshiba, la perdita di inserzione migliora di 0,1 dB mantenendo lo stesso livello di caratteristiche di distorsione.
Con la crescente diffusione di trasferimenti dati ad alta velocità nelle comunicazioni mobili, i trasferimenti di dati ad alta capacità e i circuiti di commutazione RF integrati utilizzati nei dispositivi mobili e negli smartphone richiedono il supporto di più porte e prestazioni RF migliorate. In questo contesto, la riduzione della perdita di inserzione è riconosciuta come un fattore particolarmente importante, poiché diminuisce la perdita di potenza di trasmissione RF, contribuendo così a prolungare la durata della batteria dei dispositivi mobili.
Toshiba sta sviluppando circuiti integrati di commutazione RF ad alte prestazioni utilizzando la produzione interna e applicando la tecnologia SOI CMOS, adatta all'integrazione di circuiti sia analogici che digitali. Gestendo tutti gli aspetti del flusso produttivo, dallo sviluppo della tecnologia di processo RF alla progettazione e produzione di chip di commutazione RF, Toshiba può migliorare rapidamente la propria tecnologia di processo SOI CMOS sulla base del feedback derivante dallo sviluppo dei propri circuiti integrati di commutazione RF. Questo approccio di Integrated Device Manufacturer (IDM) consente a Toshiba di implementare rapidamente nuove tecnologie di processo su misura per i prodotti esistenti e di entrare nel mercato con prodotti realizzati utilizzando la tecnologia di processo più recente.
Toshiba continuerà a migliorare le prestazioni della sua tecnologia di processo TarfSOI e si impegnerà a soddisfare le esigenze dei clienti e del mercato nei circuiti integrati di commutazione RF introducendo prodotti tecnologici di nuova generazione prima degli altri produttori.
Note:
[1] Interruttore unipolare a dodici vie
[2] Mercato dei circuiti integrati di commutazione RF al 20 novembre 2015. Indagine Toshiba
[3] Perdita di potenza che si verifica quando un segnale RF viene trasmesso attraverso l'interruttore, espressa in decibel (dB).
[4] Una specifica di interfaccia bus seriale per il controllo dei componenti RF per dispositivi mobili, standardizzata dal gruppo di lavoro Frontend RF (RFFE) della MIPI (Mobile Industry Processor Interface) Alliance.
[5] Standard di comunicazione mobile specificati dal 3GPP (3rd Generation Partnership Project).
[6] Tecnologia per ridurre la capacità parassita utilizzando uno strato isolante sotto il canale del MOSFET. SOI: silicio su isolante
* TarfSOI è un marchio registrato di Toshiba Corporation.
