Negli ultimi anni, i settori industriale e dei consumi hanno richiesto un risparmio energetico sempre maggiore per raggiungere una società sostenibile. Tuttavia, sebbene i transistor GaN HEMT siano destinati a contribuire in modo significativo a un'ulteriore miniaturizzazione e a un miglioramento dell'efficienza di conversione energetica, la complessità del controllo del gate rispetto ai MOSFET al silicio rende necessario l'utilizzo di un driver di gate dedicato. In risposta a ciò, ROHM ha sviluppato circuiti integrati per stadi di potenza che integrano transistor GaN HEMT e driver di gate in un unico package, sfruttando tecnologie analogiche e di potenza di base, semplificando così considerevolmente l'assemblaggio.
Inoltre, la serie BM3G0xxMUV-LB (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) incorpora funzionalità aggiuntive e componenti periferici progettati per massimizzare le prestazioni degli HEMT GaN, insieme agli HEMT GaN da 650 V, la prossima generazione di dispositivi di potenza. Le caratteristiche di ROHM, come un ampio intervallo di tensione di pilotaggio (da 2,5 V a 30 V), consentono la compatibilità con praticamente qualsiasi circuito integrato driver negli alimentatori primari, facilitando la sostituzione dei MOSFET al silicio (superjunction) esistenti. Ciò consente una riduzione simultanea delle dimensioni del componente e delle perdite di potenza di circa il 99% e il 55%, rispettivamente, ottenendo una maggiore efficienza in un ingombro ridotto.
ISAAC LIN, Direttore Generale del PSADC (Power Semiconductor Applications Development Center) di Delta Electronics, Inc., ha dichiarato
: "I dispositivi GaN stanno suscitando un notevole interesse in diversi settori industriali, in quanto contribuiscono in modo significativo alla miniaturizzazione delle apparecchiature e al risparmio energetico.
I nuovi prodotti di ROHM hanno raggiunto un pilotaggio del gate sicuro e ad alta velocità, grazie all'utilizzo della tecnologia analogica proprietaria di ROHM. Questi prodotti incoraggeranno ulteriormente l'impiego di dispositivi di potenza GaN, per i quali si prevede un'ulteriore crescita."
Gamma di prodotti:
un ampio intervallo di tensione di pilotaggio (da 2,5 V a 30 V), un breve ritardo di propagazione e un rapido tempo di avvio consentono la compatibilità con praticamente qualsiasi circuito integrato driver negli alimentatori primari.
Esempi di applicazione:
Ottimizzato per alimentatori primari (AC-DC, circuiti di correzione del fattore di potenza (PFC)) in una vasta gamma di applicazioni.
Settore consumer: elettrodomestici, adattatori CA, PC, TV, frigoriferi, condizionatori d'aria.
Settore industriale: server, apparecchiature per ufficio.
Informazioni sulle vendite online.
Distributori: DigiKey Mouser e Farnell.
Prodotti e schede di valutazione saranno offerti anche da altri distributori online, non appena disponibili.
Data di inizio delle vendite: giugno 2023.
Codice articolo della scheda di valutazione:
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240 W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
EcoGaN™
è la nuova gamma di dispositivi GaN di ROHM che contribuisce al risparmio energetico e alla miniaturizzazione massimizzando le caratteristiche del GaN per ottenere un minore consumo energetico nelle applicazioni, componenti periferici più piccoli e design più semplici che richiedono un minor numero di componenti.
EcoGaN™ è un marchio commerciale o un marchio registrato di ROHM Co., Ltd.
