Come la precedente generazione di dispositivi, i nuovi transistor ICeGaN H2 da 650 V sono pilotati in modo simile ai MOSFET al silicio, eliminando la necessità di circuiti complessi e inefficienti grazie all'utilizzo di driver di gate disponibili in commercio. Infine, gli HEMT ICeGaN H2 presentano un QG 10 volte inferiore rispetto ai componenti al silicio e un QOSS 5 volte inferiore, consentendo una drastica riduzione delle perdite di commutazione alle alte frequenze, con conseguente riduzione di dimensioni e peso. Il risultato è un'efficienza leader nella sua categoria, superiore del 2% rispetto ai migliori MOSFET al silicio del settore per applicazioni SMPS.
GIORGIA LONGOBARDI | CEO E CO-FONDATRICE, CGD: "CGD ha consolidato una posizione di leadership innovativa con la serie H2 di ICeGaN. Ricerche indipendenti condotte dal Virginia Tech hanno dimostrato che gli ICeGaN sono i dispositivi GaN più robusti del settore e, in termini di facilità d'uso, possono essere controllati come un MOSFET al silicio standard, eliminando così la curva di apprendimento che può rallentare l'adozione sul mercato. L'efficienza del GaN è ben nota e gli ICeGaN si dimostrano eccezionali su tutta la gamma di carico."
La serie ICeGaN H2 incorpora un innovativo circuito NL3 (a vuoto e a basso carico) integrato su chip con l'interruttore GaN, con conseguenti perdite di potenza estremamente basse. Un'avanzata struttura di bloccaggio Miller integrata, anch'essa su chip, elimina la necessità di tensioni di gate negative, consentendo uno spegnimento a zero volt effettivo e migliorando le prestazioni dinamiche RDS(ON). Questi HEMT GaN in modalità e (normalmente spenti) a singolo chip includono un'interfaccia e un circuito di protezione integrati monoliticamente per un'affidabilità del gate e una semplicità di progettazione senza pari. Infine, una funzione di rilevamento della corrente riduce la dissipazione di potenza e consente la messa a terra diretta per ottimizzare il raffreddamento e le interferenze elettromagnetiche (EMI).
GIORGIA LONGOBARDI | CEO E CO-FONDATRICE, CGD: "CGD ha superato tutte le sfide che tipicamente rallentano l'adozione di una nuova tecnologia. Inoltre, ora siamo pronti a servire il mercato di massa con i nostri transistor ICeGaN della serie H2, disponibili attraverso una consolidata catena di fornitura."
