ir6990 hres-wL'IRL6283M presenta una resistenza Rds(on) di soli 500 µOhm (tipica) in un package DirectFET® Medium Can da 30 mm² per ridurre significativamente le perdite di conduzione. Ciò lo rende ideale per applicazioni con O-ring attivi e fusibili elettronici (eFuse). Il nuovo dispositivo può funzionare con alimentazioni a 3,3 V, 5 V o 12 V e riduce le perdite del 15% a 20 A rispetto ai migliori dispositivi PQFN sul mercato nello stesso formato da 30 mm², consentendo ai progettisti di ridurre il numero di componenti nelle applicazioni ad alta corrente.
 
Come l'intera famiglia DirectFET®, l'IRL6283M consente il raffreddamento dal lato superiore per migliorare le prestazioni elettriche e termiche e una connessione dei cavi senza soluzione di continuità per una maggiore affidabilità. Inoltre, il package DirectFET® soddisfa tutti i requisiti RoHS e la sua lista di materiali completamente privi di piombo è ideale per progetti con una lunga durata operativa. Altri package ad alte prestazioni presenti sul mercato incorporano una connessione del die semiconduttore contenente piombo, in virtù di un'esenzione RoHS 7(a) che scade nel 2016.
 
La famiglia StrongIRFET™ di IR include anche dispositivi PQFN standard in package ecocompatibili e privi di piombo, con una distinta base conforme alla direttiva RoHS.

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