Toshiba Corporation ha ampliato la sua gamma di IGBT discreti a commutazione robusta di sesta generazione per applicazioni generali e industriali con l'aggiunta del "GT50J342", un prodotto in package TO-3P(N) con valori nominali di IC = 55A e VCES = 600V. La nuova serie garantisce VCE(sat) = 1,5V (tipico) in condizioni di IC = 50A e tsc = 5μs (Tj ≤ 150°C) ed è adatta per l'uso in inverter e azionamenti per motori di uso generale.
Applicazioni: Inverter, gruppi motore per uso generale
Specifiche principali
1. Bassa tensione di saturazione: VCE(sat) = 1,5 V (tipica) @ IC = 50 A
2. Alta temperatura di giunzione: Tj = 175 °C
3. Tempo di cortocircuito consentito: tsc = 5 μs (Tj ≤ 150 °C)
4. Incorpora diodi a recupero rapido (FRD)
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