La simulazione è uno strumento prezioso per i progettisti, in quanto riduce il numero di prototipi necessari, evitando ripetizioni e aumentando così l'efficienza dello sviluppo, riducendo tempi, costi e rischi complessivi.
Nel mondo esigente dell'elettronica di potenza e della progettazione automobilistica, vi è una forte esigenza di previsioni preliminari sulle prestazioni EMI e sulla dissipazione di potenza dell'intero sistema. Ciò comporta una crescente richiesta di modelli SPICE per semiconduttori di potenza in grado di prevedere l'efficienza di conversione di potenza, le EMI e altri parametri rilevanti.
Questi nuovi modelli SPICE G2 per dispositivi di potenza discreti sono creati utilizzando il formato macro, che combina più modelli compatti per adattarsi alla struttura del dispositivo, rappresentando le caratteristiche elettriche con pochi elementi non lineari e una funzione continua arbitraria. Con questo approccio, le simulazioni di commutazione sono più accurate e approssimano più fedelmente le misurazioni reali, migliorando la riproducibilità delle caratteristiche del dominio ad alta corrente della curva ID-VDS, comprese le caratteristiche dipendenti dalla tensione della capacità parassita.
Disponibili sul sito web di Toshiba, i modelli G2 coprono MOSFET a bassa tensione (12V-300V) e MOSFET a media e alta tensione (da 400V a 900V). Sono disponibili versioni per PSpice e LTSpice.
