I nuovi dispositivi utilizzano la tecnologia di arresto di campo su wafer ultrasottili di IR, che riduce le perdite di conduzione e di commutazione. Forniti nello stesso package con un diodo di recupero morbido a basso Qrr e caratterizzati da un tempo di cortocircuito minimo di 10 µs, i dispositivi sono ottimizzati per applicazioni industriali gravose.
 
Questi nuovi IGBT a trincea da 1200 V offrono una Vce(on) molto bassa e perdite di commutazione significativamente ridotte, nonché una maggiore efficienza del sistema e una risposta ai transitori più rapida per una maggiore affidabilità, rendendoli particolarmente adatti ad ambienti industriali difficili.
 
I dispositivi incapsulati coprono un ampio intervallo di corrente da 10 a 50 A. Altri vantaggi chiave includono una Tjmax massima di 150 °C, un coefficiente di temperatura positivo di Vce(on) per facilitare il parallelismo e una Vce(on) inferiore per ridurre la dissipazione di potenza e ottenere una maggiore densità di potenza. Sono disponibili anche prodotti non incapsulati.

Maggiori informazioni o un preventivo